三氧化钨对OLED缓冲作用

有机发光二极管又称为有机电激光显示（Organic Light-Emitting Diode，OLED）。OLED显示技术的特性是具有自发光，由非常薄的涂层和玻璃基板组成的有机材料在电流通过时就会发光。OLED显示屏幕可视角度较大，具有省电功能。

磁控溅射方法制备的三氧化钨缓冲层研制的OLED器件：
当工作电压达到20V时，IWO-OLED（简称IWO）的亮度为8791cd/m2，IWO/WO₃-OLED（简称IWO/WO₃）亮度为16690cd/m2；当电压碱至19V时，IWO/WO₃器件的功率效率达到最大值1.581m/W。相比之下，对于IWO器件，当电流密度增大的时候，发光效率逐渐上升，当电流密度达到181.9mA/cm2的时候，发光效率达到最大值为4.83cd/A；对于IWO/WO₃器件，当工作电压为19V，发光效率达到最大值9.56cd/A，其数值约为前者的两倍。总之，IWO/WO₃-OLED无论在亮度，发光效率以及功率效率上都有显著的改善。

脉冲等离子体沉积方法制备的三氧化钨缓冲层研制的OLED器件：
在工作电压20V时，IWO的亮度为8791cd/m2， IWO/WO₃亮度为17360cd/m2，其亮度约为无三氧化钨缓冲层器件的两倍。可得加入三氧化钨缓冲层确实有效提高了OLED器件发光亮度。然而对于功率效率而言IWO/WO₃器件却并没有因为三氧化钨的插入而得到有效改善。发光效率上，IWO/WO₃-OLED器件明显不如IWO-OLED。分析可知，OLED器件性能与缓冲层(buffer layer)厚度均匀性以及表面平整性有着密切的联系。

利用XRD和AFM等分析表征了三氧化钨薄膜的晶格结构和表面形貌，实验发现所制备的三氧化钨为非晶结构，具有相对平整的表面。利用两种方法制备的三氧化钨薄膜作为OLED阳电极的功函数修饰层，发现其对OLED起到缓冲作用。
 

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