钨铜/铬青铜自力型动弧整体触头
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- 分类:钨业知识
- 发布于 2016年7月13日 星期三 15:20
- 作者:xiaobin
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钨铜触头材料因其具有良好的耐电弧侵蚀性、抗熔焊性及高强度而广泛应用于各种断路器、真空负荷开关和变压器转换开关上,尤其以可靠性更高的钨铜/铜合金整体触头材料应用最为广泛。随着高压开关电压等级的升高以及开关设备小型化发展趋势,对自力型动弧整体触头需求和要求逐渐增多,尤其随着550Kv以上等级的高压电器投入电网运行,对钨铜/铬青铜(QCr0.5)自力型动弧整体触头性能要求更加严格。自力型动弧整体触头在加工后,要进行线切割或者铣床加工,即切割后内径会由于前期机械加工过程中形成的加工应力而发生显著的变形,切割后内径会根据应力性质的不同发生外扩或内扩。这种变形会影响动弧触头与静弧触头的接触弹性,降低高压电器在开断过程中弧触头的可靠性,从而影响高压电器整机性能。尤其是生产钨铜/铬青铜(QCr0.5)自力型动弧整体触头时,在切割后内径会发生显著变形,变形经常高达0.2mm以上,触头生产厂家多数只是进行机械校正。经发现,机械校正方法只能短期有效,在装机后会随着应力松弛重新变形,从而降低整体触头的可靠性。
其基本的制作工艺是:首先,采用湿法机械混粉,将铜粉和钨粉进行混合,将混合好的粉末制粒后在压制模具型腔内进行压制成型;将压制好的生坯放入石墨舟中在气氛烧结炉中进行烧结熔渗,制得触头部分的铜钨合金,随后进行烧结连接触头部分的铜钨合金与铬青铜材质的导电杆部分,得到钨铜合金/铬青铜动弧整体触头工件;然后,将铜钨合金/铬青铜动弧整体触头工件进行固溶处理,再进行粗加工,随后进行时效处理;最后,进行精加工,并沿工件的圆周等分后进行局部线切割,得到铜钨/铬青铜自力型动弧整体触头。
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钨铜导卫板
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- 发布于 2016年7月13日 星期三 15:18
- 作者:xiaobin
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钨铜复合材料因其高硬度、高强度、高熔点以及优良的耐磨耐蚀性,使得其在许多高温材料以及具有腐蚀性的领域有着广泛的运用。钨铜导卫板就是其中一项,作为轧机上控制材料进入和导出轧槽的关键部件,其性能的优劣以及使用寿命的长短将直接影响轧机整体的生产效率。导卫板工作时,与高温轧件接触并做相对高速运动,其主要的失效形式包括高温氧化磨损以及疲劳剥落。因此就要求制作导卫板的材料需同时具有良好的抗高温氧化性能、抗高温磨损性能以及良好的韧性和抗冲击性,这与钨铜复合材料的特点相当契合。
相比于合金钢导卫板,钨铜导卫板通过铸渗表面合金化工艺将合金粉末预先固定在特定位置并浇铸使工件表面具有特殊组织和性能的耐磨、耐热高合金层,而基材本身具有良好的韧性以承受冲击力。采用新型无粘结剂合金粉末熔渗工艺,克服了目前普通铸渗表面合金化工艺稳定性差、表面质量较差、结合面或铸渗层易产生气孔等缺点;采用特殊的合金粉末封装预埋处理和合理的合金粉末配比,从而保证了铸渗表面合金化层与基材的良好结合;基材本身具有足够的强度和韧性,加上合金化层的抗氧化性能和抗高温磨损性能;整体的表面合金化工艺具有设备简单、生产周期短、生产成本低、零件不易变形、表面处理层厚等突出优点。
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三氧化钨薄膜光电极的制备
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- 发布于 2016年7月13日 星期三 15:03
- 作者:zhuolin
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三氧化钨(W03)是一种n型间接带隙半导体材料,因其禁带宽度比较窄、空穴所在的价带电位比较高(+3.10-3.20 V VS.NHE),是一种非常具有应用前景的氧化物半导体光催化制。W03薄膜除了可以作为光催化剂外,还可以作为光电极在外加电压作用下,进行光与电的协同催化一一光电催化。W03自身存在一些缺点如禁带宽度相对较窄,使其在实际中的应用受到限制。为了克服或者降低W03本身的缺陷,需要对W03进行修饰。分别采用添加Ni(OH)2催化剂,制备FTO/W03/BiV04复合膜和对W03薄膜的表面形貌进行改善的方法对W03薄膜进行改性,并进行光电化学研究,可得到一些初步的结果。
(1)通过简单的溶胶凝胶一浸渍法,经过高温退火后制备出FTO/W03/Ni(OH)2三氧化钨薄膜光电极。产物经XRD, SEM, DRS, Raman, CV等方法表征。通过该实验,发现不修饰Ni(OH)2的裸露三氧化钨电极几乎没有光电催化葡萄糖的效果;在三氧化钨薄膜的表面修氢氧化亚镍能够增强三氧化钨薄膜的光电效应。
(2)采用了比较简便的溶胶一凝胶法方法:滴涂一锻烧一滴涂一锻烧的方法合成了FTO/W03/BiV04复合膜。通过XRD, DRS,SEM和拉曼的表征方法,对复合膜和纯WO3和纯BiV04薄膜进行了比较,进而也对这三种光电极的光电化学性质进行了比较。发现FTO/W03/ BiV04复合膜电极在光解水反应中电流最大。
(3)使用一种简单的硬模板法一步制得了多孔三氧化钨光电极用于光解水的实验。通过XRD, DRS, SEM,拉曼和电化学性质的测试我们得出当硬膜板介空碳的百分含量为10%时,制得的三氧化钨薄膜光电极具有较好的光电化学性质。
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锌修饰三氧化钨薄膜光电极的制备
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- 发布于 2016年7月13日 星期三 15:16
- 作者:zhuolin
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为了提高三氧化钨(WO3)的光电化学性能,通常从以下几个方面出发:(1)在WO3上负载贵金属单质,如pt、Ag、Au等。比如把WO3涂在嵌有Ag网格的FTI上,测得的光电流密度是没有嵌Ag网格时的2倍;(2)在WO3体内掺杂适量的金属离子或非金属离子,比如用Ta5+离子掺杂WO3光电极,实验表明Ta5+掺杂后的WO3比纯的WO3的光电转换效率更高;(3)将WO3与其他无机半导体材料复合,比如采用浸渍法制备得到CuO/WO3复合材料,光催化实验表明,可见光下CuO/WO3比TiO2表现出更高的光催化降解乙醛活性。(4)将WO3与有机材料进行复合。比如都通过电化学方法分别合成制备出PBrT/WO3和PMOT/WO3复合材料,通过电化学测试表明这两种复合材料与单纯的WO3、PBrT以及PMOT相比,电化学活性均得到显著提高。
采用简单的阴极电沉积-浸渍法,在空气中经450℃热处理3h后,制备得到锌(Zn2+)修饰三氧化钨(WO3)薄膜光电极.根据X-射线粉末衍射(XRD)、拉曼(Raman)光谱、场发射扫描电镜(FE-SEM)、紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱和萤光发射光谱(PL)等表征技术,分析了Zn2+的含量对WO3薄膜光电极的结构、形貌和光学性能的影响。通过在0.2M的Na2SO4溶液、外加电压为0.8V条件下的光电流测试表明,当Zn2+的相对原子比为9.99%时其光电性能最好,光电流值是纯WO3电极的3.5倍;外加电压为0.8V下的光电催化降解孔雀绿(MG)测试实验结果表明,其光电催化活性是纯WO3的2倍。Raman光谱表明一部分Zn2+以ZnO的形式附着在WO3的表面。附着在WO3表面上的ZnO对WO3所产生的光生电子-空穴对起到了有效分离的作用,使WO3的光电化学性能和光电催化活性得以提高。
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氧化钨的形貌结构对纳米碳化钨粉末均匀性的影响
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- 发布于 2016年7月13日 星期三 14:10
- 作者:zhuolin
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近些年来,硬质合金超细和超粗颗粒牌号取得了长足的进步和持续发展。与传统硬质合金(中颗粒、细颗粒)相比,超细/ 纳米晶硬质合金制品因具有强度高、硬度高,耐磨性好,不易发生脆断等性能,在工业应用领域已引起了足够的重视。高纯、颗粒均匀、化学稳定性好的碳化钨(WC)粉或WC-Co复合粉和添加适量晶粒长大抑制剂,并结合新型烧结技术是制备高性能细晶粒硬质合金制品的关键。目前国内外批量制备超细/ 纳米WC粉末仍大多采用传统氢还原工艺。作为WC粉末的生产原料,通常要求W 粉粒度分布窄,呈正态分布,结晶完整。研究也表明,钨粉的粒度和均匀性是制造优质碳化钨粉的关键因素,而氧化钨的种类对钨粉的结晶形貌、粒度及粒度分布等有较大的影响,通过对原料种类的选择与还原工艺的优化可以对钨粉的性能进行较好的调控。
然而,这些研究对氧化钨原料特性,尤其是原料形貌结构对纳米钨粉的均匀性和松散性特征及其对纳米碳化钨粉末均匀性的影响没有引起足够重视。而这一点将最终决定其是否满足超细纳米晶硬质合金对原料粉末的需求。
科研工作者研究了在传统氢还原工艺条件下,不同氧化钨原料形貌结构对纳米钨粉和碳化钨粉均匀性及其烧结性能的影响。
1) 不同形貌结构的氧化钨还原制备的纳米 W 粉颗粒均较均匀,还原过程中颗粒烧结合并增粗而长大的现象也不明显。晶粒聚集和异常粗大颗粒的产生,主要与碳化过程中纳米钨粉颗粒发生烧结合并增粗而长大有关。
2) 用颗粒细小,具有疏松、多孔形貌结构的氧化钨(细黄钨和紫钨)更容易制备出结构较疏松,分散性较好的纳米W 粉,继而制备出粒度均匀、晶格缺陷少的纳米WC 粉末,用其制备的WC-Co合金显微组织结构均匀,为超细晶硬质合金,合金性能也更佳,洛氏硬度达93.7 ,抗弯强度为4350 MPa。
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