钨布线形成方法

本发明提供一种形成钨布线的方法。在将形成金属布线处形成刻蚀阻挡层用作掩模，以减少对钨结层的厚度限制。步骤如下：

1）在半导体衬底上形成金属布线；

2）形成适当的光致抗蚀剂膜图形，以暴露金属布线层上相应于将形成金属布线的部分；

3）固化光致抗蚀剂膜图形；

4）在金属布线层暴露的部分上选择性地形成金属薄膜；

5）利用氯基等离子体对金属薄膜进行处理，从而形成金属氯化物薄膜；

6）除去光致抗蚀剂膜图形；

7）将金属氯化物薄膜作为掩模对金属布线层进行刻蚀；

8）除去金属氯化物薄膜形成钨布线。

本发明提供足够的工艺余量，从而实现提高半导体器件的可靠性和集成度。

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