2013年6月27日，纯度99.95%以上的蓝宝石炉长晶炉用钨隔热片价格（100mmx100mmx0.1mm）为人民币50.00元/片。

最小订货量为10pcs。

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继LG电子的全球第一款55寸OLED开始在1月接受预购订单之后，三星55寸OLED TV预定下周在南韩开卖，定价可能会超过1,000万韩元，与LG的产品相似。消息并显示，三星也打算在下周于南韩推出拥有弧形屏幕的OLED TV。

LG电子全球第一款弧形55寸OLED HDTV「55EA9800」在4月29日开放预购，并于6月开始在南韩出货，售价为1,500万韩元。这款机种定价较LG另一款同尺寸、但并未呈现弧形的OLED TV多出约3,600美元。

不过，OLED TV目前的销售状况仍然差强人意。据报导，LG家庭娱乐产品通讯部门主管Hugo Shin表示，旗下OLED TV自2月于南韩开卖迄今仅卖出了200台左右。他认为，这些电视至少还要再等2-3年价格才能降到与当今高阶LED TV相同的水位。


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随着去年LED TV背光需求大幅成长，去化大量LED芯片产能，虽然尚未完全解决市场供过于求窘况，但也大幅缩小供需间的差距，因此从今年以来，两岸芯片厂又纷纷释出扩产消息，包含三安、士兰微、澳洋顺昌等。

而台厂晶电、隆达也正在陆续扩增芯片产能，扩产幅度25~33%，主要押宝LED照明接下来的快速发展，各家芯片厂先行扩产卡位。

随着LED TV渗透率即将于今年达到90%，显示LED TV取代市场商机即将过去，市场预计从2014~2015年起，LED TV需求将会进入自然成长市场，背光需求的成长幅度大不如前，LED TV背光快速成长时代即将过去，因此LED业又开始锁定LED照明进行市场布局，而两岸芯片厂于今年也都传出进行扩产的消息。

大陆芯片厂部分，包含三安、士兰微、澳洋顺昌等业者都传出拟扩增芯片产能的消息，其中，三安已公告计划增资人民币33亿元，除用于补充营运资金外，约人民币28亿元将投入重新启动的芜湖二期项目，而若以三安目前拥有2吋MOCVD机台141台(有效产能约130台)来看，全数新增产能完成投产后，三安将增加1倍产能。

大陆芯片厂于两年前凭着政府补助而大举扩增芯片产能，造成整体市场产能严重供过于求的窘况，该项情况至今仍未获得解决，而今年芯片厂的大幅扩产举动是否显得太过冒险？业者认为，企业经营看的是5年后的市场发展，而三安这次大举扩产就是看好LED照明快速发展所带来的市场需求，先行进行扩产卡位，以免真正商机到来时却无产能支应。

台湾芯片厂的扩产动作也不落人后，晶电今年也确定将扩增至少25%产能，今年以来已经新增10%以上的产能，扩产举动仍在持续进行，但晶电表示，公司产能本来就已经达到满载，扩产也是顺应市场需求而为。

隆达也从今年开始于苏州厂陆续扩增芯片产能，若以目前70~80台MOCVD机台产能来看，预计也将新增约三分之一产能，不过由于该公司为一条龙生产，全数芯片产能都供给至内部产品链。

虽然目前LED市场需求展望皆呈现乐观发展，但芯片市场仍有产能供过于求压力，多数芯片厂于第1季都还处于亏损状态，营运可算是走在钢索上，LED照明市场发展是否能如市场预期般快速成长仍待观察，在LED产业仍处动荡情况下，芯片厂当下扩产动作成为对未来市场发展的一场赌注。


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香港科技大学(HKUST)近日研发出一种高性能的硅衬底绿黄氮半导体LED，研究人员称其565nm黄色LED是第一款硅衬底多量子阱(MQW)设备。

据称，这是首次在硅衬底上成功制造出565nm黄色InGaN/GaNMQWLED，且505nmLED的LOP远远高于以往的硅LED设备。除了提高材料质量外，该机构研究人员相信纳米棒也可以增强光提取散射效应。

在2英寸硅片上，研究人员使用金属有机气相沉积(MOCVD)技术来生成最初的模板，该模板由氮化铝(AlN)成核、8对氮化铝/氮化镓(AlN/GaN)层组成，以创造出一个超晶格(SL)(用作应力平衡夹层)和一个2μmGaN缓冲层。

研究人员首先对SiO2层和铟锡氧化物(ITO)层进行沉淀，再利用氯化氢(HCL)酸溶液对ITO进行蚀刻，最后使用等离子蚀刻法来形成二氧化硅(SiO2)纳米棒。纳米棒的密度为2x109/cm2，表面覆盖度为35%；其作为GaN再生长的遮罩，可降低位错密度并提高晶体质量。

随后，通过MOCVD技术生成LED结构，在纳米棒、AlN/GaNSL夹层、2μmN型GaN、5周期多量子阱(MQW)以及200nm的p-GaN周围再生成800nmGaN。再生成的GaN位错密度为8x108/cm2，被称为“最低的硅衬底GaN位错密度之一”。

研究人员随后准备适用于发射黄色(565nm)和绿色(505和530nm)光的材料，以制作300μmx300μmLED芯片。如预期一样，随着波长增加，光输出功率(LOP)逐渐下降。在20mA条件下，505nm波长的输出功率为1.18mW，530nm和565nm波长的输出功率分别为0.30mW和74μW。对于505nm、530nm和565nm设备，光输出功率分别在7.60mW(200mA)、2.72mW(180mA)和0.52mW(160mA)条件下达到饱和状态。

从理论上讲，使用硅作为衬底可降低材料成本和实现大晶圆直径产品批量生产的规模经济效益，但是与传统、更昂贵的独立GaN、蓝宝石或碳化硅(SiC)衬底相比，硅衬底氮半导体会导致更大的晶格失配。

研究人员表示，生产更大波长的氮半导体LED极具挑战性，因为难以生产出质量佳、铟浓度更高的氮化铟镓(InGaN)产品。虽然半导体晶体管领域中的硅衬底工艺已十分成熟，但类似的生长方式最近才被应用于LED设备材料。


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