钨布线形成方法

本发明提供一种形成钨布线的方法。在将形成金属布线处形成刻蚀阻挡层用作掩模,以减少对钨结层的厚度限制。步骤如下:

1)在半导体衬底上形成金属布线;

2)形成适当的光致抗蚀剂膜图形,以暴露金属布线层上相应于将形成金属布线的部分;

3)固化光致抗蚀剂膜图形;

4)在金属布线层暴露的部分上选择性地形成金属薄膜;

5)利用氯基等离子体对金属薄膜进行处理,从而形成金属氯化物薄膜;

6)除去光致抗蚀剂膜图形;

7)将金属氯化物薄膜作为掩模对金属布线层进行刻蚀;

8)除去金属氯化物薄膜形成钨布线。

本发明提供足够的工艺余量,从而实现提高半导体器件的可靠性和集成度。

 

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