钨布线形成方法
- 详细资料
- 分类:钨专利技术
- 发布于 2013年3月29日 星期五 12:01
- 作者:Elva
- 点击数:4435
本发明提供一种形成钨布线的方法。在将形成金属布线处形成刻蚀阻挡层用作掩模,以减少对钨结层的厚度限制。步骤如下:
1)在半导体衬底上形成金属布线;
2)形成适当的光致抗蚀剂膜图形,以暴露金属布线层上相应于将形成金属布线的部分;
3)固化光致抗蚀剂膜图形;
4)在金属布线层暴露的部分上选择性地形成金属薄膜;
5)利用氯基等离子体对金属薄膜进行处理,从而形成金属氯化物薄膜;
6)除去光致抗蚀剂膜图形;
7)将金属氯化物薄膜作为掩模对金属布线层进行刻蚀;
8)除去金属氯化物薄膜形成钨布线。
本发明提供足够的工艺余量,从而实现提高半导体器件的可靠性和集成度。
钨产品生产商、供应商:中钨在线科技有限公司
产品详情查阅:http://www.chinatungsten.com
订购电话:0592-5129696 传真:0592-5129797
电子邮件:sales@chinatungsten.com
钨新闻、价格手机网站,3G版:http://3g.chinatungsten.com
钨新闻、价格手机网站,WML版:http://m.chinatungsten.com
订购电话:0592-5129696 传真:0592-5129797
电子邮件:sales@chinatungsten.com
钨新闻、价格手机网站,3G版:http://3g.chinatungsten.com
钨新闻、价格手机网站,WML版:http://m.chinatungsten.com
以上内容转载自:应用技术网,如有疑义,请联系内容所属网站。