鎢鈦合金靶材製造工藝

鎢具有高原子量,鈦具有高耐腐蝕性和極好的表面附著力使得鎢鈦(W-Ti)成為用於防止外來原子擴散的緻密層的理想解決方案。在半導體晶片製造的金屬化工藝過程中,含10wt%鈦的鎢鈦合金常用做擴散阻擋層和粘結層,將半導體和金屬化層分離,例如鋁與矽或銅與矽。

在柔性薄膜太陽能電池(CIGS)中,鎢鈦阻擋層能夠防止在鋼基體中的鐵原子通過鉬背接觸擴散到CIGS半導體,並顯著降低CIGS太陽能電池的效率。鎢鈦阻擋層主要通過磁控濺射方法得到,這樣就需要具有高密度、高純度、組織均勻等性能的鎢鈦合金靶材。高密度和高純度是鎢鈦合金靶材的重要性能要求,可以有效地 減少濺射鍍膜過程中微粒的形成,有助於得到高品質的W-Ti薄膜阻擋層。組織均勻可以有 效地避免濺射過程中W-Ti合金靶材表面局部形成結核,提高靶材利用率和薄膜品質。

钨钛合金靶材制造工艺图片

W-Ti合金靶材主要採用粉末冶金工藝生產,軋製加工鎢鈦合金靶材的製備方法包括如下步驟:

(1)混合步驟:選擇純度為99.95%、費氏細微性為3.5μm的W粉和純度為99.9%、粒徑為-325目(約45μm以下)的TiH2粉為原料進行配料,配料比例:TiH2粉的品質百分比為11%,W 粉的品質百分比為89%。將兩種原料放入混料機的罐體內,通過抽真空充氬氣使混料罐體 內處於氬氣保護狀態,然後進行混合,混合時間為16h,得到W-TiH2混合粉;

(2)壓坯步驟:將混合均勻的W-TiH2粉料放入模具中,通過冷等靜壓成型,壓力為150MPa,保壓時間為15min,得到W-TiH2坯料;

(3)預燒步驟:將W-TiH2坯料在流動氫氣氣氛燒結爐內進行預燒還原,預燒溫度為 1100℃,保溫4h,得到預燒坯料;

(4)燒結步驟:將預燒坯料在真空爐內進行真空高溫燒結,真空爐真空度1×10- 3Pa,燒結溫度1600℃,保溫時間3h,得到燒結坯料,燒結坯料的緻密度為94%;

(5)包套步驟:將燒結坯料進行整形加工,用鈦板作包套材料進行包套加工,得到 包套坯料;

(6)軋製步驟:將包套坯料進行軋製,大氣氣氛加熱,開坯加熱溫度(即首次加熱溫 度)1300℃,保溫時間60分鐘,每加熱一次軋製一個道次,每道次降溫100℃(即每次加熱溫 度比前一次加熱溫度降低100℃),道次變形量為20%,共軋製4道次,得到軋製坯料;

(7)熱處理步驟:將軋製坯料的外層包套材料機加工去除掉,然後放入真空加熱爐 內進行熱處理,熱處理溫度800℃,保溫2h,得到鎢鈦合金靶材;

(8)加工步驟:對熱處理坯料經銑、磨等工序進行機械加工,最終得到鎢鈦合金靶材成品,其尺寸為10×160×800mm。

採用上述步驟製造的W-Ti合金靶材緻密度可達到99.6%以上,厚度尺寸可控,可製備出較大尺寸的合金靶材,而且靶材均無開裂和分層缺陷,工藝簡單且適合大批量工業化生產。

 

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