我們在不少的古裝電視劇中可以看到關於暗器的使用，比如飛鏢、銀針等等。百發百中的命中率以及精確的命中點都讓人歎為觀止。暗器發展到現在，演變成以飛鏢為主的休閒運動方式，並逐漸普及開來，並產生了許多大型的世界飛鏢聯賽。許多人都喜歡在茶餘飯後玩上一把飛鏢來放鬆心情，同時鍛煉自己的身體。鎢合金飛鏢由於其良好的投擲穩定性和耐腐蝕、耐磨損性成為了飛鏢界中的翹楚。在使用鎢合金飛鏢時怎樣才能在飛鏢盤上投擲出更好的成績，它的投擲技巧可以總結為以下幾點：

 

1.手握鎢合金飛鏢時，以握在飛鏢的重心為宜，像寫毛筆字時握毛筆的方式。但每個人對於力道和手感的把控不同，可根據自己最適宜的角度進行調整。

 

2.鎢合金飛鏢的鏢尖應當有一個稍微向上的角度，因為飛鏢在投擲出去時會形成一個小抛物線，鏢尖向上稍微傾斜才能使鎢合金飛鏢到達鏢盤時是垂直的狀態。

 

3.投擲鎢合金飛鏢時，身體和大臂保持不動，用手、手腕和小臂來給予飛鏢動力，如此才會使其飛行地更為穩定。

 

4.投擲飛鏢時注意力要集中，心情放鬆，自然均勻地握住飛鏢，就不會使飛鏢從手中脫落，從而更好地發揮和表現。

TB型晶體材料的分子設計近年來取得了許多新進展．主要體現在：充填A位置應用到了新的元素；充填B位置元素的多樣化以及摻雜改性。

 

表1列出了Foster等通過分子設計開發的部分新晶體。從中可以發現，TB型晶體材料的開發，A位置傳統上主要引用Ba、Sr、Pb，K等元素來充填，近年出現了引用La、Ce等稀土元素來充填的新動向。稀土元素的TB型晶體材料的國內報導不多．但國外已經有較為系統的研究；B位置傳統只設一種陽離子佔據．近年來，通過在該位置引入低價陽離子，使得A位置可引入更多的陽離子來平衡電價，擴大了A位置分子設計的餘地，同時也有利於得到結構穩定的TB晶體。

 

對TB型晶體材料進行微量摻雜，可以有針對地改善其性能，提高晶體的生長品質。表2給出了SBN、KNSBN在摻雜後性能的變化。

 

值得一提的是，TB型晶體材料的應用研究進展較快。SBN、PBN等經典的TB型晶體材料，其陶瓷材料和薄膜材料的製備、性能研究活躍；同國外相比，國內B位置採用W元素的TB型晶體材料研究較少。磷酸鹽的TB結構薄膜由於具有良好的超導應用前景，已經引起極大的重視，但國內此方面的研究顯得薄弱。

飛鏢運動是一項老少皆宜且對健康十分有益的運動。對於現代人而言，城市化大大縮小了可供人們進行自由運動的空間，而快節奏的生活、忙碌的工作都使得人們對於運動的關注越來越少，身體健康狀況也隨之變差。特別是對於長期久坐在辦公室中的白領而言，運動的時間更是少之又少，長此以往也很容易帶來一些健康的問題。

 

飛鏢運動是一項集視覺、大腦、手腕、關節等活動於一身的運動，它的好處在於可以訓練我們的視覺肌、調節視覺神經系統並提高身體肌肉與大腦的聯動性。飛鏢運動不會佔用很大的空間，平時在辦公室中掛上一個飛鏢盤，在休息時間時就可以進行。不僅能夠舒緩全身的筋骨，也可以起到愉悅心情，同時提升自己的注意力的作用。提到飛鏢運動必然離不開飛鏢，那麼在飛鏢運動中選擇什麼樣的飛鏢比較合適呢？答案就是鎢合金飛鏢。它比重大，穩定性好，在飛行過程中受空氣阻力的概率小，因此不會發生路線偏離的問題。鎢合金飛鏢可製成各種不一樣的款式，外觀精美且易於攜帶，金屬色的外觀清亮而富有質感，絕對是飛鏢運動的標配。簡而言之，鎢合金飛鏢運動的好處不勝枚舉，但它的本質就是為人們帶來快樂的體驗。

許多鎢青銅結構的鈮酸鹽晶體具有優良的電光及非線性光學性質，因而在全息存貯、耦合放大和光學相位共軛、光學資訊處理領域有著廣泛的用途。同時又由於鎢青銅結構鈮酸鹽晶體記憶體在三種類型的結構空位A、B和C，容易引入其他離子，可以通過分子設計和摻雜來改變或提高晶體材料的各種性能，所以，近年來有關這類晶體材料的研究越來越受到重視。然而，人們在致力改善晶體生長性能的同時，對鎢青銅結構晶體中陽離子的占位、價態以及陽離子的配位數等方面的研究進行得卻較少，但這些問題在晶體的生長及性能研究中往往是一些很重要的因索。目前，國內外學者，對於鎢青銅結構晶體內部結構空位及晶體結構通式的表示，陽離子配位數的多少等仍存在著一定分歧，其中有些表達方式不確切，甚至有誤。所以對這些問題加以研究探討無疑是很有意義的。

 

鎢青銅結構可分為兩類：四方鎢青銅結構和六方鎢青銅結構。通常所說鎢青銅結構主要指四方鎢青銅結構；鎢青銅型的鋸酸鹽晶體結構這裏主要參照文獻。圖1為鎢青銅晶體結構在(001)面上的投影，虛線表示一般四方晶系單胞的大小。其結構是由鈮氧八面體作共頂點連接為“骨架 而堆積起來，且形成三種不同空睞：三元(C)、四元(A2)及五元環(AI)(這些均為三方柱形、四方柱形及五角柱形空隙的簡稱)。鈮氧八面體又因所處位置的對稱性不同而有B1,B2兩種。一般四方晶系的單胞，它包括四個A1位置，兩個A2位置，四個C位置，兩個Bl位置，八個B2位置，以及30個氧原子。所以其結構填充公式可寫為(A1)₄(A2)₂(C)₄

(B1)₂(B2)₈O₃₀ 或 (A1)₄(A2)₂(C4)B₁₀O₃₀。