提高生長在濕蝕刻圖案化藍寶石襯底氮化鎵基LED的輸出功率

基於氮化鎵的發光二極管（LED）與450納米的發射波長生長在圖案化藍寶石襯底（PSS中）通過化學濕蝕刻制成。該晶體蝕刻刻面是R面與C-軸具有用於提高光提取效率優異的能力。 PSS的LED的光輸出功率比以往的在20毫安的注入電流LED的高1.15倍。輸出功率和外量子效率估計分別為9毫瓦和16.4 ％。改善是由於不僅對於晶體蝕刻刻面，有效地散射受引導的光找到逃逸錐體，而且還通過采用PSS增長計劃，以降低位錯密度的幾何形狀。

氮化鎵（纖鋅礦結構）的晶格常數進行了測量在溫度294-753 K的測定是通過使用X-射線衍射法進行。兩種樣品分別采用： （1）體積單晶在15千巴壓力生長，（2）生長在藍寶石襯底上的外延層。後者由約0.03 ％有在平行於界面平面的方向上的晶格常數更小。這種差異引起的藍寶石相對於氮化鎵層更高的熱膨脹。但是，這種熱應變的創建主要是在溫度低於500-600 K.高於這些溫度在平行方向上的晶格失配減少到零在約800 K的溫度。


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