操作過程中通過藍寶石襯底的紅寶石

包封的綠色和紫外光操作發光二極管（LED ）的溫度已經通過由剩餘Cr3 +的汙染物在藍寶石基板所發出的紅寶石Ř行光學測定。這兩個光致發光Ř線，這是由LED的發光本身激發時，顯示出良好的特點線位移作為溫度和壓力的函數。的溫度被發現與該LED的施加正向電流為≈1 K /毫安的速率線性增加。此基礎上監測2紅寶石Ř線的光學溫度測量可以有資格作為原位溫度傳感器，用於其他藍寶石襯底基半導體設備，例如激光二極管和場效應晶體管的敏感方法。

銦鎵氮化物（銦鎵- XN ）單量子阱（SQW ）發光二極管（LED ） 通過在藍寶石金屬有機物化學氣相沉積生長，被轉移到矽襯底。薄膜的InxGa1 - XN SQW LED用瞬態液相鈀在晶片鍵合過程隨後通過激光剝離法來移除藍寶石生長襯底結構進行了第一鍵合到的n + -矽襯底。個體250×250平方微米，發光二極管通過在n + -Si基片的背面接觸，然後制成。這些LED以5.4具有典型導通電壓為2.5 V和100mA的正向電流五，為的InxGa1 - XN SQW LED的室溫發射峰中心在455納米的半高19全寬納米。


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