在藍寶石基板及其示範的DC-DC轉換器應用高擊穿電壓摻雜AlGaN-GaN功率HEMT

未摻雜AlGaN-GaN功率高電子遷移率晶體管（HEMT ）與470 -V的擊穿電壓藍寶石襯底被制造並表現為一個高電壓的DC-DC轉換器的主開關裝置。所制造的功率HEMT實現高擊穿電壓與場板結構和3.9 MΩ·厘米²，這比傳統的矽的MOSFET 10×下的低通態電阻。使用該制造裝置在300 V的輸入電壓，這些結果表明在AlGaN-GaN功率HEMT器件的藍寶石基板為未來的開關電源裝置的有前途的可能性的降壓斬波器電路的DC-DC轉換器的操作被證明。

氮化矽鈍化的AlGaN / GaN異質結場效應晶體管（ HJFETs ）上制備薄化藍寶石基板。在50 / SPL畝/米厚的藍寶石一個16毫米寬的HJFET展出22.6 W（ 1.4 W /毫米） CW功率， 41.9 ％的PAE ，並在26 V漏極偏置9.4分貝線性增益。此外， 32毫米寬的裝置，根據脈沖操作測量，證實113 W（ 3.5 W /毫米）脈沖功率在40 V漏極偏置。據我們所知，113 W的總功率是最高的實現氮化鎵上任何基材，建立氮化鎵上稀疏的藍寶石技術的有效性。


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