緩沖層和生長溫度對由金屬有機化學氣相沉積生長在藍寶石襯底上的未摻雜氮化鎵層的特性的影響

在氮化鎵薄膜的電性能的低溫緩沖層厚度的影響進行了研究，並且表面形貌也審查通過原子力顯微鏡。最佳表面形貌不顯示最佳的電氣性能，這可以歸因於對藍寶石襯底的正常增長機制氮化鎵薄膜。的生長溫度為最後的氮化鎵層的影響也被研究。當生長溫度升高到1100 ℃時，流動性大大增強， 600平方厘米​​/ V s的3.3 × 1016/cm3在室溫下具有背景載流子密度。近帶隙態激子在低溫下的發光能量示出了具有增加的生長溫度，由於增強的熱應力藍移。基於熱應力模型的計算非常吻合與光致發光測量。這一結果可以部分解釋，在不久的帶隙激子發射能量先前公布的數值是分散的原因。

生長在藍寶石外延的氮化鎵層包含一個非常大的密度缺陷（線位錯，層錯，反相疇界），這些缺陷已經完成了基礎堆垛層錯用高分辨透射電子顯微鏡的分析。兩個斷層， I1和I2，進行了鑒定。的I1故障的形成是基於（ 1/3） langle11 - 20rangle的完美的位錯或爬升解離過程而I2故障是由於導致的局部結構的剪切位錯環。


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