半導體氣敏薄膜材料:WO3薄膜
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- 分類:鎢的知識
- 發佈於:2020-04-12, 週日 16:57
- 作者 Yahong
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作為半導體氣敏薄膜材料,WO3薄膜對NOx、H2S、H2、CH4、C2H5OH、CO、NH3等氣體都有良好的敏感性,因而具有廣闊而良好的應用前景。也因此,WO3薄膜的製備顯得很重要。以下介紹一種WO3薄膜的製備方法。
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一種WO3薄膜的製備方法
採用提拉塗覆法,以4.6-4.8cm/min的恒定速度將Al2O3基片從WO3溶膠中提拉出來,在基片表面上形成一層溶膠膜。將所得溶膠膜在紅外燈下乾燥10min後,以10-15℃/min的速度升溫至600℃進行預處理,保溫20min,使薄膜牢固地附著在基片表面。將預處理後的薄膜用去離子水清洗表面並乾燥後,重複提拉塗覆和預處理過程。最後在650℃對薄膜進行燒成,保溫30min,制得一定厚度的WO3薄膜。所得WO3薄膜用作半導體氣敏薄膜材料具有商業化應用前景。
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