半導體氣敏薄膜材料：WO3薄膜

作為半導體氣敏薄膜材料，WO3薄膜對NOx、H2S、H2、CH4、C2H5OH、CO、NH3等氣體都有良好的敏感性，因而具有廣闊而良好的應用前景。也因此，WO3薄膜的製備顯得很重要。以下介紹一種WO3薄膜的製備方法。

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一種WO3薄膜的製備方法

採用提拉塗覆法，以4.6-4.8cm/min的恒定速度將Al2O3基片從WO3溶膠中提拉出來，在基片表面上形成一層溶膠膜。將所得溶膠膜在紅外燈下乾燥10min後，以10-15℃/min的速度升溫至600℃進行預處理，保溫20min，使薄膜牢固地附著在基片表面。將預處理後的薄膜用去離子水清洗表面並乾燥後，重複提拉塗覆和預處理過程。最後在650℃對薄膜進行燒成，保溫30min，制得一定厚度的WO3薄膜。所得WO3薄膜用作半導體氣敏薄膜材料具有商業化應用前景。

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