氮氣對氧化鎢陶瓷電學性能的影響

在氮氣條件下燒結的氧化鎢陶瓷電阻最小、導電性最好。這說明在氮氣氣氛中燒結，可以促進氧化鎢陶瓷中氧空位的形成，與氧化鎢真空燒結的效果相似。樣品2和3的電阻比樣品1的電阻大。而樣品4的伏安特性曲線與樣品1的基本重合，樣品的電阻最大。它有非線性電學特性。

這說明氧氣分壓、降溫速率對氧化鎢陶瓷的電阻有很大的影響。所有樣品在升溫階段和1100℃保溫階段時，都處於氮氣氣氛中，從而促使氧化鎢中氧空位的形成。但是降溫階段通入氧氣後，只有樣品5有壓敏特性。

根據缺陷化學理論，能夠推導氧分壓對陶瓷中氧空位濃度的影響。高的氧分壓只能抑制氧空位形成，卻不能停止氧空位的形成。樣品2和3的晶界也吸附了氧，但是由於處於高氧分壓中，體內氧空位濃度減少。導致其可以用於吸附氧的活性點位減少。同時使晶界勢壘的高度，不足以使其在電流密度為1-10mA的區域內發生非線性電學現象。但是在更高的電流密度區域內能夠發生非線性電學現象。如圖所示，樣品2和3在電流密度為10-100mA的區域內出現了非線性電學現象，樣品4的非線性電學現象十分微弱。

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