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三組氮化物基化合物半導體鐳射二極體的具體實施

詳細內容: 分類：藍寶石長晶爐-鎢制品新聞; 發佈於：2013-12-20, 週五 10:22; 點擊數：1369

藍寶石襯底上形成的半導體鐳射元件層的步驟現在將參考描述的是一個截面AA是部分BB。換句話說，方向被切斷，以產生AA截面垂直於該方向上被切斷，導致產生部分BB。

在藍寶石基板冷卻到約600℃，三甲基鋁（TMA）和氨的溫度下（NH3）被供給到形成的氮化鋁層18具有約50納米的藍寶石基板上具有均勻的厚度。隨後，TMA僅停止供給，藍寶石襯底溫度升高到1040℃，然後通過TMA的供給，使三甲基鎵（TMG）和矽烷（SiH4）為具有矽摻雜的n型GaAlN層13形成氮化鋁層上（n-層）。

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三組氮化物基化合物半導體鐳射二極體的第二種具體實施

詳細內容: 分類：藍寶石長晶爐-鎢制品新聞; 發佈於：2013-12-20, 週五 10:20; 點擊數：1281

與Ⅲ族氮化物化合物半導體鐳射元件由此形成層在藍寶石基板浸漬在保持在60℃，一個鹽酸基腐蝕劑然後將基材在超聲波清潔器裝入約10分鐘，以便進行中間氧化鋅層的選擇性蝕刻。作為一個結果，中間氧化鋅層除去，形成藍寶石基片和Si摻雜的n型GaAlN層（n層），它是將半導體鐳射元件層的最底部部分之間的間隙的網格圖案。

在接下來的步驟中，鋒利的刀片正上方每個間隙被壓縮到氧化矽層沿著線CC，由此三個子層組成的半導體鐳射元件層被切割的頂面。切割所得到的端面最終將作為一個鐳射諧振腔的反射鏡表面。

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三組氮化物基化合物半導體鐳射二極體的發明目的

詳細內容: 分類：藍寶石長晶爐-鎢制品新聞; 發佈於：2013-12-19, 週四 10:25; 點擊數：1350

三組氮化物基化合物半導體鐳射二極體發明的目的是提供一種III族氮化物半導體的在一個藍寶石襯底，其形成和其上設置有足夠高的品質劈裂面，以產生一個更高的鐳射輸出的鐳射元件層。

三組氮化物基化合物半導體鐳射二極體發明的目的可以通過一個鐳射二極體製造的III族氮化物基化合物半導體來實現（; 0≤X≤1;（的Al x Ga-X）yIn1-YN 0≤Y≤1）如要求所定義具有較大的帶隙層之間保持的有源層的雙異質結結構。

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藍寶石襯底的氮化鋁緩衝層現有技術說明

詳細內容: 分類：藍寶石長晶爐-鎢制品新聞; 發佈於：2013-12-19, 週四 10:27; 點擊數：1318

藍寶石襯底的氮化鋁緩衝層這樣的現有技術說明參考文獻公開了其中通過在創建p-型傳導製造III族氮化物半導體鐳射器（AlxGayIn1 - x-yN ，包括x = 0的情況下， Y = 0和X = Y = 0），通過暴露於電子束。這樣的半導體雷射器具有形成在其上，反過來，覆蓋有在III族氮化物化合物半導體（AlxGayIn1 - x-yN的pn異質結的藍寶石襯底的氮化鋁緩衝層;包括x = 0的情況下， Y = 0和x = Y = 0 ）。

在未經審查的日本專利公開提出了鐳射二極體（公開）第Hei- 4 - 242985是由氮化鎵基化合物半導體製成（（的Al x Ga -X） yIn1 -YN ; 0≤X≤ 1,0 ≤Y≤ 1），用所摻雜的雜質啟動層。

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非極性的Zn1-xMgxO（0≤X≤0.113）薄膜的外延生長和表徵：γ-鋁酸鋰和藍寶石襯底的比較

詳細內容: 分類：藍寶石長晶爐-鎢制品新聞; 發佈於：2013-12-18, 週三 11:37; 點擊數：1265

γ-鋁酸鋰和藍寶石基板已通過採用有機金屬化學氣相沉積生長的Zn1非極性-xMgxO薄膜。的Zn1-xMgxO薄膜與不同藍寶石襯底 Mg含量（0≤X≤0.113）通過調整在氣相中的鎂金屬有機前體的分壓得到的。 Mg原子結合的電影代鋅的能力範圍內。無偏析相如MgO或Mg金屬在整個的Zn1-xMgxO膜中觀察到。的膜的結構表徵表明，γ-鋁酸鋰是一種高級的襯底為藍寶石的非極性的Zn1-xMgxO薄膜的生長。

外延的Zn1-xMgxO薄膜成功地生長在γ-鋁酸鋰基板與ZMO勞和ZMO LAO的外延關係。在另一方面，Zn1-xMgxO薄膜既和方位在藍寶石襯底上獲得的Zn1雖然-xMgxO成為主導隨著Mg含量。此外，外延的Zn1-xMgxO薄膜的室溫下的陰極發光光譜表明的近帶邊發射的隨Mg含量明顯藍移，這表明帶隙工程中的γ-鋁酸鋰襯底上外延非極性的Zn1-xMgxO薄膜。

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