藍寶石襯底上的III族氮化物基化合物半導體層

一種鐳射二極體製成的，其包括藍寶石襯底上的III族氮化物基化合物半導體層;形成在III族氮化物基化合物半導體多層結構，其中所述基板，所述具有雙異 質結結構與設置之間的有源層的多個層結構層具有比有源層，從而使多層結構的III族氮化物組合物是由通式（的Al x Ga-x），其中0≤X≤1和0≤Y≤1 Y輸入1-Y N所定義的較大的帶隙;其特徵在於，所述藍寶石基板具有對應面對的基板和其功能是作為用於晶體生長的主平面的平面取向說，所述多層結構上形成的所述主面的 藍寶石基板可直接或在一個中間存在所述緩衝層和反射鏡表面被切割形成所述多層結構和所述平行于對應於所述藍寶石襯底的c軸方向的方向的藍寶石襯底。

改進的鐳射二極體是由氮化鎵基化合物半導體的（（的Al x Ga-X）yIn1-YN; 0 </ = X </ = 1; 0 </ = Y </ = 1），具有雙異質結結構具有具有較大的帶隙層之間保持活性層，鐳射二極體包括通過切割形成的反射鏡表面，多層塗層和所述指示藍寶石襯底平行於（c軸方向）的藍寶石襯底。另外，在改進的方法中，只有中間氧化鋅（ZnO）層是通過濕法蝕刻用的ZnO選擇性液體蝕刻劑除去，從而形成在藍寶石襯底和最底下的子層，所述半導體鐳射元件層之間的間隙;與所述半導體雷射器元件層被切割用的輔助所述間隙20，以切割被用作鐳射諧振腔的反射鏡表面所得到的平面。


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