氮化鋁對氮化藍寶石同質外延生長以鎵-鋁二元液液相外延法

利用不斷增長的在常壓下鎵鋁二進位流氮化鋁層的新型液相外延法。在該方法中,將氮氣注入通量。然後氮化的藍藍寶石襯底寶石基片用作範本,以實現同質外延生長。使用氮化的藍寶石基片的優點進行了論證;最佳焊劑組合物進行了研究。我們增長了1μm厚的c軸擇優取向AlN層5小時,在1573 K的全寬的X射線搖擺曲線半氮化鋁的最大值和分別為50和590弧秒。另外,表面形態和介面結構用掃描電子顯微鏡,鐳射顯微鏡,和高解析度透射型電子顯微鏡進行觀察。

通過應用常規外延晶體生長技術,這VLS過程中,也能夠獲得納米線的生長過程中的精確定位控制。這項技術,氣 - 液 - 固外延(VLSE),特別是在強大的高品質的納米線陣列和單絲devices13的可控合成。例如,氧化鋅更傾向於沿著方向生長,並容易形成高度取向的陣列時,外延生長的a面藍寶石襯底上。可以實現對GaN10和矽/鍺系統的生長控制的水準相近。因此能夠使用該VLSE技術為納米線陣列的生長與嚴格控制尺寸(直徑<20納米)和均勻性(<±10%)。此外,我們已經探索了不同類型的納米線異質結構,包括coaxial15和縱向variations16。半導體異質結構使電子和空穴的限制,光導,並且兩個子輸運和載流子遷移率的調製。這個尺寸單分散性和異質結構的控制是至關重要的許多建議應用這些納米線陣列,包括發光和場效應電晶體。


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納米藍寶石鄰面作為自組織氧化物納米結構的生長範本

藍寶石具有從朝向的方向上的平面10°斜切角的鄰位的基片已被空氣中退火在1000〜1500℃的範圍內這些表面的行藍寶石襯底為已經被表徵為通過原子力顯微鏡觀察的溫度和熱處理時間的函數。在1250℃下熱處理可以穩定作出週期性間隔納米一步束的表面。這樣的階梯狀表面被用作範本,通過溶膠 - 凝膠浸塗製備氧化釔穩定的氧化鋯薄膜的熱退火成長自我圖案外延氧化物納米顆粒。掠入射小角X射線散射和高分辨透射電子顯微鏡被用來研究納米粒子的形態及其與底物的外延關係。

溶膠 - 凝膠衍生的LiNbO3薄膜的結晶行為,在藍寶石和氧化鎂摻雜鈮酸鋰基片,通過原位TEM和高解析度透射電子顯微鏡觀察到。人們發現,非均相成核和結晶鈮酸鋰的生長與外延發生在膜和基板之間的介面,將得到的外延膜,以微晶的聚結而形成。在結晶行為的差異,進一步,被在基板上的膜之間觀察到。在具有小的晶格失配與薄膜氧化鎂摻雜鈮酸鋰襯底,所述成核產生容易和晶粒沿介面和朝向膜的表面上生長。然而,在具有大的晶格失配藍寶石基板,微晶主要生長朝向膜的表面。在藍寶石襯底上得到的膜含有大量的結構缺陷在晶界上。在結晶行為的差異進行了討論。


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在大尺寸藍寶石的SAPMAC晶體生長過程的類比分析

SAPMAC (用在冷卻中心微拉和肩部藍寶石生長技術)過程由幾個不同的晶體生長階段的數值類比方法特性研究進大尺寸藍寶石晶體行了分析,並與提拉法,溫梯法和坩堝下降法技術相比在類比與不同的晶體生長階段的技術的結果,晶體生長的系統和控制技術進行了改進;常規SAPMAC爐與散熱參數增加了修改,將加熱溫度降低,溫度下降曲線的提高,另外的軸向和徑向溫度梯度調整,所以斷面收縮,肩部延伸,異直徑和拖尾的晶體生長過程中可以controlled.The實驗結果證實,所生長的晶體具有更好的品質和更大的尺寸通過改進的系統晶體生長和控制技術。

這裏呈現的研究的目的在於應用一種感應加熱提拉爐的全局分析的實際藍寶石晶體生長系統和預測系統中的溫度和流場的特徵。要做到這一點,對於在藍寶石生長過程的開始階段,熔體和氣體對流的結合對系統的溫度場輻射傳熱和晶體熔融介面的影響已經數值使用穩態二維有限被研究元素法。對於輻射熱傳遞,通過所生長的晶體和表面對表面輻射的暴露表面的內部輻射已被考慮到。計算結果表明,有一個強大的旋渦出現從熔體和向上流動沿後熱側壁和沿向下的氣體部分種子和晶面強烈的和大旋渦的自然對流。另外,波浪形已經觀察到與朝向熔體偏轉的晶體熔融介面。


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在形藍寶石晶體塑生長建模性應力鬆弛

在成長形藍寶石晶體熱應力所使用的瞬態有限元仿真建模。邊界條件和品質的變化是固定在一個擴大重新劃分網藍寶石晶體格,並更新電網。實際應力得到考慮通過沿基底,棱柱形和金字塔形的滑移面位錯滑移塑膠放鬆。為此,該材料的蠕變現象在法律熱啟動塑性的框架中實現。該模型是由與定向機械試驗比較校準和驗證是通過生長類比和位元錯密度的測量作為生長的晶體進行。

二維,准穩態熱毛細模型,發展了微拉下來( μ- PD)的系統來研究限制藍寶石的穩定增長。該模型採用的品質,能量和動量守恆方程,並且也占熔體液面,凝固前沿,並且晶體半徑的物理性質。極限點相對於拉速率下較高的梯度的熱條件找到,但被示出為展開以改變模具的加熱和環境溫度。都涉及到晶體大小和毛細管效應的極限點也相對於靜水頭(熔體高度)發現,但是,毛細管不穩定的經典標準示為無效。因此,獲得對μ -PD操作限制,它們的起源,以及它們的可能避免一個更基本的理解。


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鈦摻雜藍寶石(Al2O3)的由泡生技術及光學特性生長單晶

使用維爾納和泡生法生長的藍寶石(α-Al2O3)的單晶用電子順磁共振和γ-射線光譜學,12 MeV的軔致輻射激發了分藍寶石單晶析。它是建立在由泡生法在鉬 - 鎢坩堝中生長的最終藍寶石單晶不受控制的雜質都從初始材料,並從爐和坩堝的材料供給。

透明的高光學品質和大型鈦藍寶石(TI3 +摻雜Al2O3)的單晶已經為光放大長大的泡生法(KT)。本工作表明,通過KT生長技術的使用和生長條件的優化是可能的生長的Ti摻雜的氧化鋁,直徑100毫米和5公斤重量。我們已經證明,大量的Ti(0.25原子%)摻Al2O3晶體顯示出高的化學均勻性和良好的光學性能和放大能量沒有任何特殊的退火。鈦摻雜的藍寶石晶體的高功率鐳射應用,特別是對曾經從鐳射振盪器產生的最短脈衝。


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