三組氮化物基化合物半導體鐳射二極體的第二種具體實施

與Ⅲ族氮化物化合物半導體鐳射元件由此形成層在藍寶石基板浸漬在保持在60℃，一個鹽酸基腐蝕劑然後將基材在超聲波清潔器裝入約10分鐘，以便進行中間氧化鋅層的選擇性蝕刻。作為一個結果，中間氧化鋅層除去，形成藍寶石基片和Si摻雜的n型GaAlN層（n層），它是將半導體鐳射元件層的最底部部分之間的間隙的網格圖案。

在接下來的步驟中，鋒利的刀片正上方每個間隙被壓縮到氧化矽層沿著線CC，由此三個子層組成的半導體鐳射元件層被切割的頂面。切割所得到的端面最終將作為一個鐳射諧振腔的反射鏡表面。


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