濺射鍍膜法可分為直流濺射、射頻濺射、反應濺射以及磁控濺射四種比較常見的方式。

反應濺射，在直流濺射與射頻濺射的基礎上，通入反應氣體，如氧氣、水、氨氣等混合一定比例的氬氣，濺射出的原子與反應氣體發生化學反應生成化合物，沉積氧化物、碳化鎢、硫化物等各種化合物薄膜，氧化鎢薄膜的製備就是採用氧氣作為反應氣體、鎢為靶材。以上三種濺射方式雖然理論上已經能製備出多種種類的薄膜如金屬、非金屬、導體與非導體、化合物薄膜，但是這三種方法仍存在製備時基片的溫度過高，薄膜沉積的時間長和輻射損傷大等

缺點。