磁控濺射法能有效地解決上述的問題，磁控濺射是濺射技術中的新成就之一。前面所介紹的三種濺射法中，都存在澱積速率低的缺點，尤其是直流濺射，在放電過程中只有少部分的氣體分子被電離。為了在低氣壓環境下進行高速濺射，必須增大被電離氣體的比例。磁控濺射法中引入正交電磁場，使被電離氣體的比例增加，提高濺射速率。磁控濺射法一般是在直流濺射或者射頻濺射基礎進行改造，在靶陰極內側安裝磁鐵，磁鐵磁場的方向垂直於陰極磁場方向。磁控濺射法的原理為以磁鐵磁場來改變電子運動的方向，延長和束縛電子運動軌跡，提高被電離氣體的比例，充分利用電子的能量，使數量相同的離子去轟擊靶材料時，靶材料的濺射原子的量更多，即濺射效率更高，而且因為電子受正交電磁場的束縛，能量要耗盡時才能沉積在基片上。磁控濺射法相比其他三種濺射法具有沉積速率快，基片工作溫度小兩大特點。製備氧化鎢薄膜時，在反應濺射鍍膜法的基礎上結合磁控濺射法，可以大大提高氧化鎢薄膜的製備效率。