厲害了我的鎢，這個重器打破日美壟斷

據央視財經頻道報導：過去五年，中國科技進步對GDP的貢獻率從2012年的52.2%升至57.5%，國家創新能力全球排名從第20位升至第17位。機制、人才、金融，如同細密如織的神經網路和血管，不斷滋養著中國的鋼筋鐵骨，這是製造國家重器的另一種重器——中國獨有的制度沃土，正彙聚起最持久、最深層的創新力量。

藍鯨一號、天眼、大飛機、國產航母，一個個大國重器精彩亮相，讓國人自豪、世界讚歎。而這些舉世矚目的成就背後，無一不體現著中國集中力量辦大事的獨有優勢。在報導中，央視還特別提到了一種用於大型積體電路製造的重器：超高純金屬濺射靶材。

超高純金屬濺射靶材是晶片製造的必要設備，主要用於300mm極大型積體電路製造，其材料純度要求在99.999%以上，這其中也有涉及到鎢的應用，鑒於此，小編鄭重和大家介紹一下今天的主角——鎢靶材。

在國際主流的大型積體電路製造中，濺射法是製備薄膜材料的主要技術之一，它通過高速運動的離子轟擊靶材，產生的原子放射出來累積在基體的表面，形成鍍膜，被轟擊的固體金屬是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。濺射靶材是極大型積體電路製造必需的原材料，之前只有日本、美國兩個國家的少數幾家跨國公司能夠製造，也因此，我們的大型積體電路製造一直飽受發達國家的隱形技術壁壘封鎖。

稀有金屬鎢由於具有熔點高、強度高、熱膨脹係數低、電阻率低、良好的熱穩定性等優點，而被廣泛應用於半導體積體電路、太陽能光伏等濺射鍍膜領域。鎢靶材在半導體領域主要用作積體電路擴散阻擋層和大型積體電路記憶體電極等。

半導體積體電路對靶材的純度有著很高的要求，一般要求靶材的純度要在99.999%以上。同時，靶材的密實度也對鍍膜過程及膜層的性能有著重要的影響，靶材的密實度不僅影響濺射時的沉積速率、濺射膜粒子的密度和放電現象等，還影響著濺射薄膜的電學和光學性能。靶材越密實，濺射膜粒子的密越低，放電現象越弱，而薄膜的性能也越好。但相應的是，鎢的熔點高，我們採用傳統的粉末冶金法，雖然可以燒制出成品，但品質性能不穩定，而且很難燒制大尺寸的鎢靶材。

由於晶片產業是高技術的制高點，是重要的戰略領域，靶材又是晶片製造的必要設備，而且隨著半導體技術的迅猛發展，集成化程度越來越高，單位面積單晶矽片集成器件數呈指數級增長，主流的矽片尺寸已從12英寸（300mm）逐漸向18英寸（450mm）發展，所以如何製造出更大尺寸高品質的鎢靶材已成為鎢製品冶煉的關注熱點。

近年來，在國家人才專項的感召下，一批優秀團隊回國創業，並且得到“863”、“02專項”等國家重大科技專項的支撐，中國終於打破了日美的壟斷和封鎖，歷經12年的艱苦創業建立了基於全套國產設備、擁有完整自主智慧財產權的生產基地。有人才，有資金，有國家政策支援，在此大環境下，我國的高純金屬提煉技術也獲得了飛躍性的發展，創新研發並取得了許多擁有自主產權的專利成果，中國企業已經能用自己先進的生產工藝製造出不遜於日美企業的鎢靶材產品，多家諸如生產六氟化鎢等各類特種氣體的生產基地也陸續建設投產，一個新的產業鏈正轉向中國製造，逐漸改變過去某些高科技材料只能依賴進口的局面。

目前，我國已建成了全球最大的積體電路靶材製造生產線，大部分配套產業基本完善，實現了全系列產品的量產，供應全球280多家晶片製造工廠。生產的超高純金屬濺射靶材雜質元素含量小於十萬分之一；用於國際最領先的10到28納米技術極大型積體電路晶片製造，在收穫成果的季節，華為已可以設計和製造出中國人自主的先進的智慧手機晶片，紫光可以製造出打破世界科技寡頭壟斷的DDR4代記憶體晶片，任何國家都不再敢輕視中國在大型積體電路產業中的地位。

• < 前一頁
• 下一個 >