サファイア単結晶で泡を形成します

サファイア単結晶の成長は冷却センターのマイクロラと肩（SAP-MAC）技術と気泡をを通じて、成長の結晶の主要な欠陥の一つを観察しました。生長パラメータに基づいて、サファイア単結晶で泡を形成して、気泡の形成メカニズムと結晶成長の観点を議論します。効果的に最適な温度は炉で分布し、適切な成長速度を選択し、及び少し突起の界面を通して、気泡の数を減らすことができます。

模型がいくつかの光吸収帯の紫外線照射中性子照射サファイア結晶の変化を出されて説明します。この模型の基礎の上に、新しいと以前の観察した光漂白と予測単、カップル陰イオン空位光学異方性、吸収と発光帯陰イオンは双空席の特定の電荷状態に置いています。

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