中国芯来了 内存降价指日可待

近日，紫光国芯旗下西安紫光国芯半导体有限公司生产的DDR4内存模组已经开始量产并且能够长期供货，紫光DDR4内存采用DIMM(U-DIMM)和SO-DIMM开发。据紫光国芯介绍，其DRAM芯片目前产品产量很小，市场份额不大。

虽然产量不大，但终归是有了，而且已具备了规模量产并长期供货的能力，可能是由于商业机密的原因，紫光公司并没有透露更多的细节。在西安紫光国芯半导体的官网上，仍没有见到DDR4代内存的相关参数，但消息也并非捕风捉影或空穴来风，网络消息显示国产DDR4内存已经通过CPUZ的认证，U型DIMM代号“SCQ04GU03AF1C-21P”， “SCQ04GE03AF1C-21P”，SO-DIMM 2个模型代号“SCQ04GS03AF1C-21P”，“SCQ08GS13AF1C-21P”。

近年来，由于智能手机的需求量剧增，导致内存价格水涨船高，也影响到电脑内存价格，以前我们装一台电脑是买主板送内存，现在是买完主板再买内存，然后吃土。随着原材料价格的上涨，电脑配件的价格也一直在涨。作为智能手机和电脑必不可少的配件，内存的价格已成为数码硬件消费中举足轻重的组成。

内存的核芯是大规模集成电路，据了解，集成电路的芯片制造需要上千个工艺步骤，每个步骤都需要特定设备的加工。不仅需要专业的设计技术，更重要的是先进的纳米加工设备和能力，过去，这个领域一直被韩美日厂家垄断，也因此，三星可以无视手机爆炸门，在内存涨价潮中获得更大的盈利。

存储行业的这波强势价格走位已经极大地影响了PC乃至整个IC 芯片行业。欣喜的是，紫光国芯研发的国产DDR4 也已经箭在弦上，而这其中我们的钨也将有一展抱负的施展空间。

在电子工业中，钨及其硅化物主要用于超大规模集成电路的电阻层、扩散阻挡层等以及在金属氧化物半导体型晶体管中作为连接材料等。这是因为随着半导体装置中的集成水平提高，栅极线宽、栅极绝缘膜厚度及结深度减小。这些减小使得难以实现多晶硅制成的栅极中所需的低电阻。而金属钨具有优良的台阶覆盖率(step coverage)和填充性，且金属钨在介质层内的扩散系数比铜的扩散系数小的多，因此通常采用金属钨作为阻挡层和栅极填充材料，目前这一应用虽然对钨的总需求量并不占多大比重，但这是一项高附加值的应用，极具意义。

应用于大规模集成电路的钨需要有非常高的纯度，钨源一般为超纯钨，在集成电路制造中，沉积钨的工艺一般为物理气相沉积法（PVD）或化学气相沉积法（CVD）。PVD采用氮化钨，而CVD采用六氟化钨。目前，国产DDR4代内存的量产已万事具备，有人有技术有设备有原材料。例如近日就有新闻报道我国已能自主生产新型的金属刻蚀机、化学机械抛光（CMP）设备，物理气相沉积（PVD）设备等，能够根据国际标准设计，对硅，铜，钨，铝，氧化物，氮化物，钽和聚合物等不同半导体材料进行加工，而且全国最大、最先进六氟化钨的生产基地——欧中电子特气项目正式在渝开工，未来将为半导体制造行业提供高质量的六氟化钨，一系列的新闻报道已表明，内存降价指日可待。（中钨在线：伟平）

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