随着电子信息产业的日益发展，集成电路规模的日益增大，电子器件中每个芯片上产生的能量也越来越大，致使芯片温度越来越高，因为对芯片周边电子器件材料要求规格也越来越高。

众所周知，陶瓷材料易受外界温度剧变的影响，在材料中产生热引力，导致热胀冷缩，引发陶瓷材料失效。近年来，随着材料工业的发展，人们发明创造出了近零膨胀陶瓷，这种材料的热膨胀受温度影响极小,在耐热冲击性能上具有显著优势,在诸多领域有着广泛的应用。

钨酸锆薄膜以其优异的性能在而逐渐成为人们关注的焦点，一段时间以来，主流的钨酸锆薄膜生产方法主要有电流束蒸发粉状法、湿化学法等，遗憾的是以上两种方法均无法满足大规模工业生产的需要，要么纯度太低，要么制取太难，成本太高，人们急待找寻一种能够成本和质量兼顾的方案。

大多数材料随着温度的改变有热胀冷缩现象，然而，一些材料却表现出相反的性质—热缩冷胀，这些表现为热缩冷胀的材料统称为负热膨胀材料，ZrW₂O₈是一种在很大温度范围内具有较大的各向同性负膨胀系数的材料。它既可以单独使用制成薄膜，也可以与常规热膨胀材料配比制成可精确控制热膨胀系数的复合材料。