1992年、Kresgeは初めてMCM-41というの要路構造があるのシリカ介穴材料を報道した。分子篩の材料の研究は新しい分野を開拓した。介穴材料は大きい比表面積で、均一に調整するの穴径（2-50nm）、ルールの制御の外観、高い熱性能と耐水解性など性能があるので、分離、吸着、触媒、生物の材料、情報材料、カーボンナノチューブ作製などの分野で応用されるのは人々がますます重視を受ける。

二酸化ケイ素介穴材料の調製および性能では多くの研究があり、異なる構造の特徴の介穴二酸化ケイ素は調製しやすい。しかし、その性能は違い分野の応用に満たすことができなくから、非シリコン基介穴材料の研究がもっと増える。酸化タングステンの自体は解媒で、電界変色、電極材料、蓄圧およびマイクロ波材料などの分野での応用の特性なので、介穴の酸化タングステン素材がこの分野でもっと効果の作用を発揮する。

酸化タングステンの介穴材料の調整について、国内外では関連の報道がある。その調整方法は2つに分けることができる。一つはロングチェーンの有機物をテンプレートとして、六塩化タングステンをタングステン源になる。エタノールの中でゲル化後、焼成または溶媒抽出を通して、有機のテンプレート剤を除ってタングステンの介穴素材を調整する。だが、高温アニーリング時に、酸化タングステンの介穴は极崩れやすい。しかも、抽出を利用して有機テンプレートを除っく時、何度も抽出で割り切っにくい。同時に、酸化タングステンは十分に結晶にくいので、この方法は最終的に構造が良い酸化タングステン介穴材料を得られにくい。

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酸化タングステン（WOx）は金属の酸化物が広く応用されて、人々は酸化タングステンの研究は17世紀までにさかのぼる。あの時ある人はLiWO3の性質で、WO3とNaWO3の合成など内容を研究した。ナノテクノロジーの発展につれて、酸化タングステンのナノ構造の調製および分析研究もますます重視される。酸化タングステンのナノ構造がこの重要な機能性材料の性能を明らかに高めて、そしてその非ナノ状態にとって唯一無二の性質を与えました。

その中が含んでいる。

（1）面積/体積比を上げて、それによって物理の化学反応は多くのの表面積に提供している。

（2）酸化タングステンの表面を著しく変わった。それに材料の表面の違い原子のキー構造を変わった。

（3）量子の限域の効果で、ナノ構造材料の固有の小さいサイズが電荷移動、帯域幅と光学的性質に顕著な影響することができる。

ナノ構造の酸化タングステンは特殊な多機能性と独特の性質がある。凝縮物理、固体化学など多くの分野にも深く研究された多機能金属酸化物である。

また、電界変色応用の方面で、エネルギー、ZnO、NiOなどに対して、酸化タングステンの研究がより深い。光触媒とセンサの方面で、ナノ構造の酸化タングステンも注目を集める。太陽電池の方面の研究で、ナノメ酸化タングステンの全酸化形式はエネルギーやZnOのようにより広範な深くの研究が、機能特性に似ていて、非常にも注目されている。近年、ナノ構造の酸化タングステン素材はスーパーコンデンサ電極材料の研究を用いて、超高のスーパーコンデンサの性能を得られる。

中国には豊富なタングステンがあり、性能がよく酸化タングステン素材を開発してはに、非常に重要な意義を持っている。

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酸化タングステンのフィルムは現在で最も注目のイオン敏感の変色材料の一つである。それはReOの構造があり、その結晶構造は実際にはABO3型カルシウム欽鉱構造の中のカチオン位Aが空いて、B位がW6 +を変える。.正イオン源に存在している時、電界の作用に加えて、正イオンMと電子はWO3フィルムの中に拡散と移転を起こす。WOの上にマイナス電圧に掛ける時、プラスイオンはWO3フィルムを注入する。そして、その「A」の位を占めて、タングステン靑銅MxWO3を形成する。電圧は逆に、注入したイオンはWO3フィルムの内から抽出する。上記のイオンの注入と抽出はプロセスは可逆の電気の化学反応過程である。

イオンは酸化タングステンフィルムを注入と抽出するの過程の中で、フィルムの光学特性と電気学特性が大きな変化に発生する。例えば、イオンの注入量Xの増加に従って、MxWO3は絶縁体から半導体に変わて、甚だしきに至っては金属の特性がある。抵抗率が01１６～5X01ncmの範囲内で変化を発生した。それなりに、フィルムも透明態から深い靑までの間で可逆の変化を発生する。

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気相沈澱の範囲はとても広くて、通常とは源材料の気相条件の下ターゲットの基材に集まる。酸化タングステンを生産して、一般的は物理気相蒸着法（PVD）を用いる。PVD法は酸化タングステンタングステン源としてに直接用いる。ハイエナ-ジの蒸発昇華の方法で沈澱して、たとえばイオン衝撃、加熱、イオンビーム、レーザー放射などである。パラメータの制御を通して、ナノメートルサイズの結晶で、容貌の形成を実現することがでる。また、タングステン源は酸化タングステンが必ずしもなく、粉末と糸状のタングステン単体にもできる。また、必ず酸素やその他の酸化剤を導入しWO3のガスクロを形成する。多くの時、PVD法は生成にはWOxで、WO3ではない。沈澱物の色、通常はその化学計測を推定することができる。一般にブラックフィルムの形成が形成のWOx材料中の酸素原子が欠如に意味である。

スパッタリング法では、高いエネルギー粒子はターゲットの原子を衝撃しフィルムを生産するの方法である。その長所は制御性は良くて、生えた結晶膜は優れた構造の制御性がある。スパッタリング法は操作しやすく、大量生産にスクロール式の生産を実現することができる。だから、工業で酸化タングステンを生産するの方面で、スパッタリングは広い応用がある。

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