エチルアルコールを分散剤として、シリコンタングステンとシリコン介穴の物質に比べて、600℃の煆焼とHFを処理後で、酸化タングステン介穴材料の小角XRD図を得られる。見ることができて、シリコンタングステンとシリコン介穴の物質はm（NULLNULLWO3）/ m（SiO2）2：1時に、小角XRD図内の回折峰は明らかではありません。これは構造の秩序度が悪いことを説明する。また、N 2吸着-脱別表徴中の比表面積は40.7m2・g-1で、600℃煆焼の比表面積68.0m2・g-1より低下がある。その材料の比例は3：1と4：1時、辺りで明らかな回折峰（211）があり、その質量比の範囲に構造が良い酸化タングステンの介穴材料を調整することができる。.シリコンタングステンとシリコン介穴の材料の比例は5：1時に、小角XRD図内の回折峰はあまり著しくない。その構造の秩序性が悪く、タングステンの含有量が高いかもしれない。

一方、エタノールと蒸留水を分散剤として、シリコンタングステンとシリコン介穴の物質の比例は3：1時、600℃の煆焼とHFの処理後で酸化タングステンのN2を吸着-脱離する。N2吸着-脱着など温線は相対圧力（p / p0）が0.1-0.2の間に弱い突ほどがある。また、相対圧力は0.6 - 0.8ぐらいで吸着曲線が明らかに突ほどがある。しかも、吸着枝と脱離枝の間で明らかな遅れ環があり、これはN2要路で発生の毛管凝縮現象を引き起こす。これも調製した材料は介穴の要路があることを表明する。

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複合材料は煆焼を通して、酸化ケイ素要路内のシリコンタングステンは酸化タングステンを転化する。焼成の温度は酸化タングステン結晶と介穴構造に影響がある。.本文は550-950℃の間で、違いアニール温度は酸化タングステン介穴構造の影響を探索した。エタノールを分散剤として、シリコンタングステンとシリコン介穴の物質はm（NULLNULL WO3）/ m（SiO 2）3：1で、違い温度で煆焼したHFのタングステン酸化を処理する。アニールの温度が５５０℃の時には、小さな基本は無回折峰えである。これは構造の秩序度はとても悪く説明する。同時に、N 2吸着-脱別表徴中の比表面積は42.7m2・g-1で、600℃を煆焼後の比表面積の68.0m2・g-1に比べて著しい低下がある。

また、焼成の温度が600-750℃時は、２θ＝1の辺りで明らかな回折峰があり、煆焼の時SiO 2硬テンプレート内の酸化タングステン結晶の属性がより良くことを説明する。しかも、HFの処理後で酸化タングステンの介穴構造の秩序度がより良い。しかし、小角回折の中で、峰の二級回折峰を観察しなく、介穴の構造は良い秩序性を形成しないことを説明する。.アニールの温度850と950℃に達する後、結構んの秩序度が悪く、温度が高すぎて部分の酸化タングステンを揮発するかもしれない。その構造の秩序度に影響する。

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もう一つの方法は硬いダイ板法で、すなわちこの方法はテンプレートを除く時に条件は温和で、しかもテンプレートを徹底的除くする。ほとんどはリンタングスデン酸をタングステン源をとして、だから、それによって不純物リンを導入する。しかも、重点は介穴酸化タングステンの応用性能に関する研究である。その調製条件で、シリコンタングステンをタングステン源として、介穴シリカ（KIT-6）をテンプレートにして、硬いテンプレート法で酸化タングステン介穴材料を調整する。そして、調製の条件を模索する。

介穴シリカ（KIT-6）の調製について、すなわち40℃で、2.5gブロック共重合体P123は80mL0.5mol・L-1の塩酸の中を溶けて、3.5mL正ブタノールを加入して1hに攪拌する。後で、4mLのTEOSを加入して、同じ温度で24h続け攪拌し、所得の混合溶液に移しテフロンを様々な反応釜の中である。100℃で水熱反応4dで、冷却した後、室温で乾燥に白い粉末を得られる。最後は所得の白い粉末がプログラムの炉内で1℃・min-1の加熱速度550℃まで加熱する。５５０℃で4hに恒温有機テンプレート剤を除く。また、酸化タングステン介穴材料の調製は1gの介穴シリカ（KIT-6）は35g分散剤（エタノールや蒸留水）で分散し、一定量の1 g・mL-1のシリコンタングステン酸溶液を加入し、室温で24hを撹拌する後、100℃で乾固溶剤を乾燥する。WO3-SiO2の複合材料をえられる。この複合材料は各温度（550-950℃）で4hを煆焼して薄緑色の粉末を得る。そして、60mL1.3mol・L-1HF溶液中に入って、室温で24hを撹拌し、SiO 2品除いて、洗濯で乾燥して、最後に黄色の産物を得られる。

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1992年、Kresgeは初めてMCM-41というの要路構造があるのシリカ介穴材料を報道した。分子篩の材料の研究は新しい分野を開拓した。介穴材料は大きい比表面積で、均一に調整するの穴径（2-50nm）、ルールの制御の外観、高い熱性能と耐水解性など性能があるので、分離、吸着、触媒、生物の材料、情報材料、カーボンナノチューブ作製などの分野で応用されるのは人々がますます重視を受ける。

二酸化ケイ素介穴材料の調製および性能では多くの研究があり、異なる構造の特徴の介穴二酸化ケイ素は調製しやすい。しかし、その性能は違い分野の応用に満たすことができなくから、非シリコン基介穴材料の研究がもっと増える。酸化タングステンの自体は解媒で、電界変色、電極材料、蓄圧およびマイクロ波材料などの分野での応用の特性なので、介穴の酸化タングステン素材がこの分野でもっと効果の作用を発揮する。

酸化タングステンの介穴材料の調整について、国内外では関連の報道がある。その調整方法は2つに分けることができる。一つはロングチェーンの有機物をテンプレートとして、六塩化タングステンをタングステン源になる。エタノールの中でゲル化後、焼成または溶媒抽出を通して、有機のテンプレート剤を除ってタングステンの介穴素材を調整する。だが、高温アニーリング時に、酸化タングステンの介穴は极崩れやすい。しかも、抽出を利用して有機テンプレートを除っく時、何度も抽出で割り切っにくい。同時に、酸化タングステンは十分に結晶にくいので、この方法は最終的に構造が良い酸化タングステン介穴材料を得られにくい。

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酸化タングステンのフィルムは現在で最も注目のイオン敏感の変色材料の一つである。それはReOの構造があり、その結晶構造は実際にはABO3型カルシウム欽鉱構造の中のカチオン位Aが空いて、B位がW6 +を変える。.正イオン源に存在している時、電界の作用に加えて、正イオンMと電子はWO3フィルムの中に拡散と移転を起こす。WOの上にマイナス電圧に掛ける時、プラスイオンはWO3フィルムを注入する。そして、その「A」の位を占めて、タングステン靑銅MxWO3を形成する。電圧は逆に、注入したイオンはWO3フィルムの内から抽出する。上記のイオンの注入と抽出はプロセスは可逆の電気の化学反応過程である。

イオンは酸化タングステンフィルムを注入と抽出するの過程の中で、フィルムの光学特性と電気学特性が大きな変化に発生する。例えば、イオンの注入量Xの増加に従って、MxWO3は絶縁体から半導体に変わて、甚だしきに至っては金属の特性がある。抵抗率が01１６～5X01ncmの範囲内で変化を発生した。それなりに、フィルムも透明態から深い靑までの間で可逆の変化を発生する。

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酸化タングステン（WOx）は金属の酸化物が広く応用されて、人々は酸化タングステンの研究は17世紀までにさかのぼる。あの時ある人はLiWO3の性質で、WO3とNaWO3の合成など内容を研究した。ナノテクノロジーの発展につれて、酸化タングステンのナノ構造の調製および分析研究もますます重視される。酸化タングステンのナノ構造がこの重要な機能性材料の性能を明らかに高めて、そしてその非ナノ状態にとって唯一無二の性質を与えました。

その中が含んでいる。

（1）面積/体積比を上げて、それによって物理の化学反応は多くのの表面積に提供している。

（2）酸化タングステンの表面を著しく変わった。それに材料の表面の違い原子のキー構造を変わった。

（3）量子の限域の効果で、ナノ構造材料の固有の小さいサイズが電荷移動、帯域幅と光学的性質に顕著な影響することができる。

ナノ構造の酸化タングステンは特殊な多機能性と独特の性質がある。凝縮物理、固体化学など多くの分野にも深く研究された多機能金属酸化物である。

また、電界変色応用の方面で、エネルギー、ZnO、NiOなどに対して、酸化タングステンの研究がより深い。光触媒とセンサの方面で、ナノ構造の酸化タングステンも注目を集める。太陽電池の方面の研究で、ナノメ酸化タングステンの全酸化形式はエネルギーやZnOのようにより広範な深くの研究が、機能特性に似ていて、非常にも注目されている。近年、ナノ構造の酸化タングステン素材はスーパーコンデンサ電極材料の研究を用いて、超高のスーパーコンデンサの性能を得られる。

中国には豊富なタングステンがあり、性能がよく酸化タングステン素材を開発してはに、非常に重要な意義を持っている。

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気相沈澱の範囲はとても広くて、通常とは源材料の気相条件の下ターゲットの基材に集まる。酸化タングステンを生産して、一般的は物理気相蒸着法（PVD）を用いる。PVD法は酸化タングステンタングステン源としてに直接用いる。ハイエナ-ジの蒸発昇華の方法で沈澱して、たとえばイオン衝撃、加熱、イオンビーム、レーザー放射などである。パラメータの制御を通して、ナノメートルサイズの結晶で、容貌の形成を実現することがでる。また、タングステン源は酸化タングステンが必ずしもなく、粉末と糸状のタングステン単体にもできる。また、必ず酸素やその他の酸化剤を導入しWO3のガスクロを形成する。多くの時、PVD法は生成にはWOxで、WO3ではない。沈澱物の色、通常はその化学計測を推定することができる。一般にブラックフィルムの形成が形成のWOx材料中の酸素原子が欠如に意味である。

スパッタリング法では、高いエネルギー粒子はターゲットの原子を衝撃しフィルムを生産するの方法である。その長所は制御性は良くて、生えた結晶膜は優れた構造の制御性がある。スパッタリング法は操作しやすく、大量生産にスクロール式の生産を実現することができる。だから、工業で酸化タングステンを生産するの方面で、スパッタリングは広い応用がある。

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静電紡糸工芸の起源は20世紀の30、40年代に始まる。静電紡糸の装置は一般的に以3つの部分のつながる。高圧電源、小さく直径の細い針と収集する紡糸の金属箔で、石墨紙などの収集装置を含む。

高圧電源は高電界をかけることに用いて、高分子の液滴が電荷につける。高分子の液滴は紡糸が装置を収集する前に、溶液は揮発することができて、それによって紡糸の収集装置で架橋の繊維に殘る。そして、高圧電源の電極の端は溶液の針を繋がって、一方の端が収集装置をつながる。液滴の表面は電荷につけて、高圧の駆動の下ですると表面の張力に反対の力を形成する。電界の強化に従って、液滴が針の半円形から錐状に引っ張っなって、即ち有名なテイラー錐である。

静電紡糸工芸にも酸化タングステンの調製に応用される。WCl6はタングステン源をとして、DMFとPVPはそれぞれ溶剤と高分子担体としてと16kV条件の下で前駆体繊維を調整した。しかも、高温でガス敏性能の酸化タングステンとナノファイバーを調整した。PVBなどキャリアをして、静電紡糸工芸を通じて、電界変色性能があるの酸化タングステンナノワイヤを生産した。

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（2）反応環境：水熱法は反応の過程の中に反応温度と圧力を抑えることを通して結晶粒の成長の過程を抑える。その成長の過程は通常にクローズドシステムの環境の中で行われた。この環境は高圧反応を採用することを維持する。温度が高い時、高い圧力は反応係が鋼の材料の腐食性が強いので、テフロンメモリ材料として反応釜の内張り材料を採用する。

（3）反応過程：その他の液相法によって、水熱の反応過程の中で、反応釜は一般的垂直を置くので、釜内液相と気相部分は、垂直方向の温度分布によって勾配に存在している。その温度の勾配の変化は反応釜内の液相でと気相が反応過程の中で強い対流現象を現れる。そして、液相は高温区に低温区まで移転し、相転移と溶液の局部の変化を伴った、低温区で溶液は飽和に変わったことはで溶質を析出して沈殿物を形成する。気化の溶液は低温に遇えばが液体に液の目に留まり、繰り返し循環に対流を形成し、最終的に溶質を析出して晶体を形成する。

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酸化タングステンの水和物の材料を調整して、一般的にはすぐに所要の調製の材料の構成要素は溶剤の体係の中を溶解する。そして実験工芸の条件を変えて（たとえば温度、濃度、蒸気圧など）過飽和の溶液を得られる。さらに、維持たりあるいわ体系の状態を変えたり、晶体を形成の方法である。我が国の古代の最古の結晶の調製方法として、古代人は海水から塩を抽出するの過程は液相のシステムの条件で結晶を成長するの実例である。長い時間の生産実踐を通して、今液相法は具体化で多くの異なるタイプに分けるの溶液の成長の結晶の技術を利用する。そしてこれらの技術は絶えず発展する。例えば変温法、溶剤蒸発法、高温の溶液法、フラックス法、水熱法などは現在で材料科学の領域の中で最も常用するの液相は結晶を調整するの方法である。その中、水熱法は水係では、結晶の溶解度を変更することによって、液相のシステムで結晶の成長を育てる方法である。。それが他の液相法の違いは主に以下のいくつの方面：

（1）反応条件：水熱法が一般的に水と他の塩を混ぜ合わせる溶媒を形成する。だから、反応過程の中で、このようなシステムは常温常圧の条件の下での難しい溶解物質に溶解度を高めて、普段の反応条件の反応は比較的に温和な条件で行うことを促す。

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