赤外線吸収材料は、M1xM2yWOzの式を有するタングステンブロンズ錯体であり得、0.6≦x≦0.8、0.2≦y≦0.33、0.8≦x + y <1、および2≦z≦3。 M1はLiまたはNaです。また、M2はK、Rb、またはCsです。特に、タングステンブロンズ複合体は、立方体のタングステンブロンズ（CTB）と六角形のタングステンブロンズ（HTB）で構成されています。ここで、立方体タングステンブロンズと六方晶タングステンブロンズのモル比は、0.995：99.005と5.005：94.995の間です。赤外線吸収材料は、高い透過率と高い断熱性の要件を満たすために断熱構造に適用できます。

단열 지용 Cs0.32WO3는 소듐 텅 스테이트 및 탄산 세슘을 원료로 사용하여 열수 합성법으로 제조 할 수있다. 여기서, D- 말산은 환원제로서 첨가된다. 그러나 왜 D- 말산을 환원제로 선택합니까?

断熱紙用のCs0.32WO3は、原料としてタングステン酸ナトリウムと炭酸セシウムを使用した水熱合成法で調製できます。 ここで、D-リンゴ酸は還元剤として添加されます。 しかし、なぜ還元剤としてD-リンゴ酸を選択するのですか？

断熱コーティング用のCs0.32WO3は、原料としてタングステン酸ナトリウムと炭酸セシウムを使用した水熱法で合成できます。ここで、炭酸セシウムは、それぞれ0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、および0.6のCs / W比に従ってタングステン酸ナトリウムのイオン交換によって得られたタングステン酸溶液に添加された。

단열 코팅 용 Cs0.32WO3는 소듐 텅 스테이트 및 탄산 세슘을 원료로 사용하여 열 수법에 의해 합성 될 수있다. 여기에서 탄산 세슘을 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5 및 0.6의 Cs / W 비에 따라 소듐 텅 스테이트의 이온 교환에 의해 얻어진 텅스텐 산 용액에 첨가 하였다.

단열 코팅을 준비하기위한 Cs0.32WO3는 근적외선 흡수 성능이 우수하고 비교적 안정적인 화학적 및 물리적 특성을 갖는 세슘 텅스텐 브론즈로도 알려져있다. 이러한 우수한 특성은 Cs0.32WO3 나노 입자로 제조 된 단열 코팅이 높은 단열 성능 및 높은 가시광 투과 특성을 갖도록한다. 세슘 텅스텐 브론즈 구조의 유리 담체 함량이 증가하면 생성 된 분말의 근적외선 흡수 성능이 강해집니다.

断熱コーティングを準備するためのCs0.32WO3は、セシウムタングステンブロンズとしても知られています。セシウムタングステンブロンズは、優れた近赤外線吸収性能と、比較的安定した化学的および物理的特性を備えています。これらの優れた特性により、Cs0.32WO3ナノ粒子で作られた断熱コーティングは、高い断熱性能と高い可視光透過率の特性を備えています。セシウムタングステンブロンズ構造のフリーキャリア含有量が増加すると、得られる粉末の近赤外線吸収性能がより強くなります。

新しい赤外線吸収材料またはスペクトル選択材料として、セシウムタングステンブロンズは大きな注目を集めています。スペクトル選択性材料は、赤外線吸収材料であってもよい。また、スペクトル選択材料は、セシウムタングステンブロンズに限定されません。現在、省エネガラスの製造に適用されるスペクトル選択材料は、主にLow-E薄膜、ITO、ATO、およびLaB6であると報告されています。

새로운 적외선 흡수 재료 또는 스펙트럼 선택 재료로서, 세슘 텅스텐 브론즈가 많은 관심을 받고있다. 스펙트럼 선택 재료는 적외선 흡수 재료 일 수있다. 스펙트럼 선택 재료는 세슘 텅스텐 브론즈로 제한되지 않는다. 현재, 에너지 절약 유리를 제조하기 위해 적용된 스펙트럼 선택 재료는 주로 저 -E 박막, ITO, ATO 및 LaB6 인 것으로보고되어있다.

몰리브덴 도핑 된 텅스텐 브론즈는 몰리브덴으로 도핑 된 암모늄 텅스텐 브론즈 나노 결정일 수있다. 텅스텐 브론즈에 비해 몰리브덴 도핑 된 텅스텐 브론즈의 근적외선 차폐 성능이 향상되었습니다. 그렇다면 왜 몰리브덴 도핑이 텅스텐 청동의 근적외선 차폐 성능을 향상시킬 수 있는지 알고 있습니까?