电沉积法制备纳米三氧化钨薄膜

气敏元件传感器作为新型敏感元件传感器，被国家列为重点支持发展的对象，目前应用最广泛的是可燃性气体气敏元件传感器，己普及应用于气体泄漏检测报警和监控，从工厂企业到居民家庭，应用十分广泛。

纳米三氧化钨是一种优良的 N 型半导体气敏材料，相较于传统材料，纳米三氧化钨气敏传感器，灵敏度高，响应速度和恢复速度更快更好，是近年来被研究最多的气敏原材料。

合成纳米三氧化钨或薄膜的方法通常有气相法、固相法，液相法。电沉积法是一种气相制备纳米三氧化钨薄膜的方法，它是在一定的电解质和操作条件下，金属或合金从其化合物水溶液、非水溶液或熔盐中电化学沉积。

电沉积法在制备WO₃薄膜时的基本过程是：首先用H₂O₂以一定比例溶解W粉，然后祛除过量的H₂O₂，得到电解质溶液并让其自然沉积，再以Pt作为工作电极，以另一种物质为对电极，通入电流电解沉积，Pt电极上即可得WO₃薄膜。有学者用此方法在Ti基体表面制备了WO3薄膜。基本过程为：先向 10 m L 30％的H2O2中加入 2g钨粉，待放热反应结束后，再加入100mL蒸馏水和 30m L丙醇，得到制备WO₃薄膜所需电解质溶液。用饱和甘汞电极为对电极，在室温下以 450 m V电压电解 1 小时，产物用蒸馏水和乙醇反复清洗，并经过适当的热处理后，即可在基片上得到WO₃薄膜。

电沉积法相对与其它方法，其设备较简单，可控性强，镀膜比较均匀而且也可以进行制备复合薄膜。但受到镀膜面积的影响，所制得的WO₃薄膜面积较小。

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