如何提高钨酸铅荧光产额
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- カテゴリ: 钨业知识
- 2017年7月11日(火曜)19:53に公開
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钨酸铅晶体由于高密度、短辐射长度和 Moliere 半径快的闪烁衰减时间、较强的抗辐照损伤能力、空气中不潮解、化学性质稳定以及价格低廉等优点已成为新一代闪烁材料。
近年来,钨酸铅晶体在核医疗设备应用领域也引起了的关注,尤其在正电子断层扫描( PET) 等核医学成像方面成为了国内外研究热点,然而,钨酸铅闪烁晶体虽有很多优点,但较低的荧光产额限制了钨酸铅晶体在高能领域的应用。荧光产额是指激发态原子回到基态时发射X射线荧光的几率, 钨酸铅晶体作为一种结构敏感晶体,其激发和发射光谱会随着晶体结构微小改变而产生显著变化,因此,提高钨酸铅的荧光产额才能更好地拓展它的使用领域。
目前常用的提高钨酸铅晶体低光产额的方法有 ( 1) 改进生长条件,提高原料的纯度和调节原料配比来尽可能去除对发光性能不利的杂质;(2) 在钨酸铅基质中掺杂离子,通过对缺陷的补偿实现新的发光中心引入,使掺杂离子发光位于蓝光波段;(3) 通过优化和建立合理的退火工艺补偿氧空位,减少缺陷。
钨酸铅 晶体的蓝发光位于420 nm 附近,要提高钨酸铅晶体低光产额就必需使得晶体在这一发射波长范围内具有高的透过率,以减小晶体在这一波段的自吸收。通过优化退火条件可以补偿氧空位,减少缺陷,提高 钨酸铅 晶体透过率,从而提高晶体的低光产额。因此,探索最佳退火条件对于提高 钨酸铅 晶体的低光产额具有重要意义。
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