纳米晶掺杂氧化钨电致变色薄膜

氧化钨薄膜因具有卓越的电致变色特性而在显示领域拥有重要的应用价值，对其进行适量的FTO(氟掺杂的氧化锡)纳米晶掺杂，可以有效提高其电致变色性能，由该薄膜制备的显示器件具有无盲角、对比度高、能耗低等特点，可作为电子纸、指示牌等使用。

图形刻蚀是制造显示器件关键的工序，直接影响器件的显示效果，目前无机薄膜图形的制备方法，都是将制膜和图形制作分开进行，即先制备好具有特定功能的薄膜，再通过离子刻蚀、光刻等物理方法得到所需的图形，其中，离子刻蚀需要在真空或离子反应室内进行，造价高、效率低、产量少、制备面积小是该方法的弊端。

有企业开发一种纳米晶掺杂氧化钨电致变色薄膜图形的制备方法，解决现有薄膜图形的制备过程中使用腐蚀性溶剂容易腐蚀基板、效率低以及不能制备较大面积薄膜图形的问题。其制备过程为：

步骤1，将二氯化锡溶解于无水乙醇中，在干燥的氮气环境中，将溶液分别置于75℃和45℃温度下每隔2小时交替回流24h，得溶胶A，随后向溶胶A中加入三氟乙酸，置于45℃温度下继续回流5h，得FTO溶胶B，备用；

步骤2，将氯化钨溶于无水乙醇中，将溶液置于0℃的环境中，在干燥氮气气氛下均匀搅拌2小时，得溶胶C，备用；

步骤3，分别取步骤1所得溶胶B与步骤2所得溶胶C混合，在干燥氮气气氛下常温搅拌0.5h后，得复合溶胶D；

步骤4，取螯合剂加入到无水乙醇中，在干燥氮气气氛下常温搅拌2h，得溶液E；

步骤5，取步骤3所得溶胶D与步骤4所得溶液E混合，在干燥的氮气环境下于60℃回流2～4h，得溶胶F，经过24h沉化后，得感旋光性FTO掺杂的氧化钨溶胶。

氧化钨电致变色薄膜中加入了具有透明、导电、近红外电致变色三重特性的FTO纳米晶，制备出具有可见-近红外双频调制的电致变色薄膜，该纳米晶掺杂氧化钨电致变色薄膜相比普通非晶氧化钨薄膜，具有更好的电致变色性能，更加适合用于显示器件材料。

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