低温水热法制备氧化钨纳米线

氧化钨是一种典型的过渡金属氧化物，禁带宽度2.4-2.8eV，属于典型的n型半导体。钨基氧化物除作为催化、电致变色、蓄电池电极、太阳能吸收材料和隐形材料之外，还具有了压敏、热敏、气敏等半导体功能材料的性质。

与传统的氧化钨材料相比，氧化钨纳米线的比表面积更大，而且在气敏传感、电致和光致发光、电导电极及光催化等各个方面均具有很好的应用前景，特别是在氧化物半导体气敏传感器应用领域，氧化钨纳米线除了具有大的比表面积外，还具有更大的表面活性和更强的吸附能力。

传统制备氧化钨纳米线的制备工艺复杂、能耗大，而且这些方法的实验条件要求苛刻，有的水热温度高达200℃，水热时间也长达24h甚至更长。在传统水热法中，用到的反应容器都是聚四氟乙烯内衬的高压反应釜。这种设备能耗非常高。

为了解决上述问题，有学者研究出一种低温制备氧化钨纳米线的工艺，、其制备步骤如下：

配制0.01mol/L的Na₂WO₄·2H₂O水溶液50mL，表面活性剂选用(NH₄)₂SO₄，在溶液中的添加量为0.66g；在磁力搅拌的条件下以0.1ml/s的速度把浓盐酸逐滴加入到Na₂WO₄·2H₂O溶液中，待溶液pH值调到5，停止滴加；把得到的混合溶液转移到密封的玻璃瓶中，干燥箱温度稳定在95℃时，将玻璃瓶放置在恒温干燥箱中，反应3h；将反应之后得到的沉淀物用水和乙醇各洗涤两遍后，放入烘箱中在60℃下干燥1h，所得到的氧化钨为纳米线结构，其直径约为10nm，长度为200-300nm。

与现有的氧化钨纳米线材料的制备方法相比，低温水热法的工艺简单，操作简易，采用超低的反应温度，而且能够大大缩短反应周期，对设备的要求简单，采用普通玻璃容器即可，相比于传统方法采用的聚四氟乙烯内衬的高压反应釜，能耗较低且成本更低。

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