三酸化タングステンセラミックの電気性能

同じ工程条件で、ナノ前駆体WO₃セラミックの誘電率はミクロン基WO₃より陶磁器一級高く、しかし空気雰囲気で焼結またその誘電率一級を上げる。多結晶WO₃セラミックと他のバリスター(ZnO，Ti0₂など)と同じで、それのノンリニヤリティの性質もショットショットの障壁模型で説明することができる。WO₃晶粒酸素不在の存在なので、n型半導体行動を表現する。

王豫など大量の実験研究WO₃のノンリニヤリティエレクトロニクス特性の出現は常温の下で双方の共存というよりは一定の関係があると思われる。共存すると、粒格子の整合性に影響が影響すると考えて、粒が違う大介を持つ。空気の雰囲気で焼結のサンプルは片流れと3斜めの二相と共存する構造で、ノンリニヤリティボルト特性曲線を持つ、しかし水素雰囲気焼結サンプルには片流れの構造が、そのボルトアンペア特性は線形で、一定程度に彼らの予想を証明することが証明されている、常温のWO₃セラミックの相共存の問題そのショットのバリヤ障壁の発生につながって、それからWO₃セラミックはノンリニヤリティボルト特性を持っている。

二重ドーピングの方法を利用すると、ZnO とTiO₂を用いてWO₃基セラミックをドーピングすると異なるムーアの割合のサンプルを作成する。X線回折パターンによって、Jade5を利用して1種のドーピングはまた第二相の生成を分析するし、また、混ぜ濃度の違う第二相の物質が変わると。ムーアの割合は0 . 5％1 . 0％濃度のドーピング発生の第二相をZn_0.3 WO₃ 、ドープ量の増大につれて、第二相の物質が変変わってZn_0.3 WO₃ やZn_0.06 WO₃ 共存相になった。5.0%（ムーア点数）を達成して第二相完全にZn_0.06 WO₃に転化する。走査型電子顕微鏡のSEM画像から晶粒の大きさはまず減少それから増大する。300~1 000 K の温度範囲内でセラミック材料の熱電性質を測量すると.実験の結果による伝導度が先に再増大するを発見する、2 . 0％（ムーア点数）のサンプルを混ぜて最悪の導電率。サンプルのゼーベック係数がなる、ドーピングと変わらないWO₃基セラミックとn型熱電材料の性質を説明した。ベイカー係数の絶対値は単調に増加している、は、2 . 0％と5.0%（ムーア点数）のサンプルのゼーベック係数にとって、低温区と高温区の差が出てきました。ドーピング濃度は％（ムーアの点数）になり、パワー因子最大で、その值は0.052 μW/(m•K2 )です。

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