三酸化タングステン電界変色フィルムの研究の進展（Ⅱ）

三酸化タングステンの電界変色フィルムは現代社会に広く使われるので、その性能を高めてその広範な使用が重要な作用がある。三酸化タングステンの電界変色の応答性能を高めるのはイオンが材料内の拡散と輸送時間を短縮する。しかも、ゾルゲル法とマグネトロンスパッタ法を運用するのほか、研究が深く入るにとともに、今はたくさんの調製方法が三酸化タングステン電界変色フィルムを高めいるに大きく改善がある。例えばフィラメント化学気象堆積法で電界変色のフィルムを調製する。

三酸化タングステンのナノ結晶膜は300℃で空気の下焼鈍後、フィルムは主に片流れ結晶である。三酸化タングステンの晶質と伝統の非晶質に比べ、硫酸溶液H+循環の性能でより安定し、使用率は３０００回である。そして、ナノ酸化タングステンフィルムがもっと大きな比表面積があるため、伝統的な非晶質酸化物膜がより発の着色効率がある。水熱合成法で形貌加熱制御の酸化タングステンナノ粒子を合成することができる。更にこの基礎の上でdrop-castingの方法を通じて三酸化タングステンフィルムを調製する。だから、その硫酸溶液とリチウムイオン液体に比べ、H+はLi+より小さくて、高い電力密度があり、高速の応答時間および大きな着色効率がある。

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