三酸化タングステンの電界変色フィルムの研究の進展（Ⅰ）

三酸化タングステンの電界変色の応答時間はイオンあるいわ電子によって材料内部の拡散、輸送のスピートに決まる。イオンのサイズは電子より大きくから、イオンの輸送と拡散は全体の電界変色の過程の中で最も緩やかなコーナーである。だから、三酸化タングステンの電界変色の応答性能を高めるのはイオンが材料内の拡散と輸送時間を短縮する。

イオンは注入/抽出の速度を抑えるの要素が主に二つである。一方、イオンの拡散の係数である。次はイオンの拡散のルートである。研究が深く入るに従って、、現在WO3フィルムの高速応答性能を高めるのは、主からWO3フィルムのミクロ構造を変化に着手する。例えばゾルゲル法を利用してWO3・H 2Oを調製する。（WO4）2の週りに水の分子を取り囲むので、活性のイオン（H +、Li +）がより拡散しやすい。それによってそれなりの時間を短縮する。電界変色メカニズムはイオン、電子双注入/抽出電界の変色薄膜ので、アップフィルムの表面積をフィルムの電界変色性能を高めることができる。実験を表明し、三酸化タングステンフィルムの安定性と応答速度も大きな向上がある。

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