三酸化タングステン薄膜による大面積インテリジェントデバイスの製造
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- カテゴリ: タングステン知識
- 2024年10月08日(火曜)17:42に公開
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エレクトロクロミック層材料として三酸化タングステン薄膜を用いることで、大面積インテリジェントデバイスを製造することができる。これらの大面積エレクトロクロミック素子の製造には変色ムラがあるという問題がある。どのようにして大面積エレクトロクロミックデバイスの変色ムラの問題を解決しますか?専門家たちは次のような案を提案した。
詳細については、
http://www.tungsten-powder.com/japanese/tungsten-oxide.html
1.0透明導電電極の抵抗を下げる。透明導電電極の抵抗が低いほど、ITO部分の両端の電圧降下が低くなり、全平面内の電極電位分布が均一になる。
2.0電流制限モジュールによる分極電圧の低減。例えば、エレクトロクロミックデバイスに直列に接続されたカスタム抵抗器は、エレクトロクロミックデバイスの動作中にデバイス全体の動作電流が低いことを保証するための電流制限モジュールとして使用される。したがって、透明導電電極部分における電圧降下が低いと、色むらが顕著に低下する。
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