エレクトロクロミック薄膜におけるMoO3ドープ酸化タングステンの使用

MoO3をドープした酸化タングステンを用いてエレクトロクロミック薄膜を作製することができる。このようなスマート薄膜は、直流マグネトロンスパッタリング法、スプレー法、および直流マグネトロンスパッタリングとスプレー法の組み合わせにより製造することができる。その中で、一部の専門家はこの3つの方法によってWO3エレクトロクロミック薄膜を製造することを研究し、発見：

詳細については、

http://www.tungsten-powder.com/japanese/tungsten-oxide.html

1.0で得られた酸化タングステン−酸化モリブデン複合エレクトロクロミック薄膜は直流マグネトロンスパッタリングにより製造することができる。酸素アルゴン比が3：70の場合、エレクトロクロミック素子の光変調範囲は49.52%と最大値に達する。

2.0スプレー法を用いて製造したモリブデン添加三酸化タングステンエレクトロクロミック薄膜はエレクトロクロミック能力が低く、コストが低く、プロセスが簡単である。

3.0マグネトロンスパッタリングとスパッタリングを組み合わせて製造された複合エレクトロクロミック薄膜は、スパッタリング法で製造された薄膜よりも優れたエレクトロクロミック性能を有する。ここで、マグネトロンスパッタリング4分後に塗布されたエレクトロクロミック薄膜で組み立てられたデバイスは、32.38%に達する最大の光変調範囲を有する。マグネトロンスパッタリングを4分間行うと、得られる膜厚は陽イオンの注入と抽出に有利である。

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