電界変色というのが、材料の光学の性能は電界の作用の下で可逆変化を発生するの現象で、外観の性能には色および透明度の可逆変化を変える。三酸化タングステンフィルムの電界変色性能に影響するの要素が多く、フィルムの密度、空隙率、粒度、導電率、膜の組部と膜の構造、イオンはフィルムの中で拡散係数、電荷の数で、循環の電圧などである。

三酸化タングステンフィルムの電界変色は、ミクロの構造から説明し、三酸化タングステンフィルムの格子構造は、WO6八面体ユニットを結成した。その中のWのt2g準位は空の軌道で、酸素の2Pn準位の間の隙間が広い。普通の情況の下で、材料は透明である。そして、イオンと電子を注入する時、余分な電子はt2gの準位に入り、材料は透明から吸収や反射までになる。また、イオンと電子は抽出された時、材料は元の状態へ戻る。簡単な説明で、フィルムの結晶化合物中の酸素イオンを欠損しから、酸素席の空を形成する。電界の作用の下で電子は充填で、色を形成し変色を引き起こす。

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三酸化タングステンフィルムの気変色というのは、三酸化フィルムは水素を含むの雰囲気を暴露して着色を発生し、酸素の雰囲気で色褪せたの現象である。三酸化タングステンフィルムの電界変色に比べて、気変色はシステムの構造が簡単で、変色の範囲が広いが、三酸化タングステンフィルムの上で触媒層に加える必要である。一般はPt、Rhで、変色プロセスの制御性にとって、電界変色は明確な利点がある。

三酸化タングステンフィルムの気変色メカニズムは、表面で吸着の水素分子は触媒層の作用の下で、水素原子を分解して、水素原子は三酸化タングステンフィルム表面に沿って穴に膜内を拡散する。そして、拡散の過程の中で、2つの水素原子と三酸化タングステンフィルム結晶粒界の酸素原子と結合で水を形成する。それによって三酸化タングステンフィルムの粒体で酸素空席が空いている。体内に酸素を形成し三酸化タングステンフィルムの色を招き。

全体にとって、三酸化タングステンフィルムの気変色の研究はまだ調合技術と性能テストの方面で、それの変色メカニズムの研究はさらに深く入る。

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三酸化タングステンは遷移の金属の酸化タングステンにとして広く応用がある。最近、三酸化タングステンはそのが比較的に敏感な電界変色の効果で幅広い研究を受けた。ナノテクノロジーの出現に従って、合成と研究する三酸化タングステンナノ構造はナノ材料の方向のホットになった。以下の紹介は三酸化タングステンナノワイヤの調製方法である。

三酸化タングステンナノワイヤーを調製するのは、まず電子天秤による8.25gタングステン酸を取り250 ml脱イオン水を溶解し、磁力をかき混ぜて、完全に溶解する。そして、メスシリンダーで10 ml濃い塩酸を量て30mlの脱イオン水と混合して、配置の濃度は3mol/Lの塩酸溶液である。そして、上記のタングステン酸ナトリウム溶液は3mol/Lの塩酸の中に雫し、磁力をかき混ぜて、pH値は1-1.2に達成させる。攪拌した30min後で薄い黄色の沈澱物を得られる。それから、その沈澱物は遠心で洗浄して200 ml、0.1mol/Lのクエン酸溶液中に溶けて、透明液を得る。;最後にその透明溶液は反応釜に移入して、反応釜は1.3gの硫酸ナトリウムを添加して、そして反応釜を密封する。恒温の槽の中に置いて、２４０℃の環境で32hを反応する。反応が完成した後、冷却するまでに室温ぐらいまで、反応後の沈殿は遠心で精製し、乾燥した後で試料容器を保存する。即ち三酸化タングステンナノワイヤである。

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SEM構造方程式モデルは要因分析と経路分析を融合するの多元の統計技術である。その勢いはめまぐるしく変化量間相互関係の定量の研究である。過去30年で、SEMは社会科学と行為科学の分野で大量に応用される。そして、ここ数年から徐々に市場の研究に応用する。SEMを利用して三酸化タングステンナノワイヤーを分析し、もっとナノワイヤーは外界の要素の影響による形の変化を引き起こす。前駆体を通じておよび反応温度を分析する。

三酸化タングステンナノワイヤーは調製する過程の中では、タングステン酸を前駆体として、まず、その他の条件が一緻した場合で、1.3gのタングステン酸を反応して三酸化タングステンナノワイヤーを調製する。その直径は200-500nmで、長さは5 - 10μmである

次に、反応温度を抑えることが通してその合成の三酸化タングステンナノワイヤの外観の影響を研究することができる。タングステン酸の反応時間は32hなどの条件が一緻の情況の下で、２４０℃の環境の中で反応を獲得した三酸化タングステンナノワイヤの直径は200-500nmで、長さは5μmである。また、200℃の環境で反応を獲得した三酸化タングステンナノワイヤの直径は200-600nmで、長さが1.6-3.3ミクロンで、容貌のほとんどは棒状の構造である。

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三酸化タングステンナノワイヤーと電極の間の接触はオーム接触の際、違い湿度の下で、三酸化タングステンの電気の運送にとして違い影響を受ける。

三酸化タングステンナノワイヤーは水蒸気吸着する後に、水分子の中での陽子は電子を引き付けて、電子はナノラインの表面が集まりを引き起こす。そして、電子は表面へ集まった後、ナノワイヤーと電極このインターフェースの電荷の酸素空位を誘導する。また、相対湿度の増大につれて、誘導した酸素も増えて、接触界面のナノワイヤーはN型半導体から一転P型ドーピング半導体までに変える。N型半導体と電極の接触し、障壁のショットキダイ接触p型半導体を形成する。だから、私たちは相対湿度を通して三酸化タングステンナノワイヤの伝導性能を抑える。

最終的に述べたように、水分子はナノ線の表面を吸着して、しかも数が増えにつれて、表面に吸着集まった電子が増えて、体内の自由電子の数を低下する。それに従って、相対湿度の増加に従って、ナノは自体の伝導が低い。また、吸着したナノライン表面の水分子は散乱中心をとして、電子の移動率を下げることで、最終的には電気輸送の能力に影響する。

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OLEDというのは電気ルミネセンスのデバイスで、このデバイスは潜在力が十分にあるが、現在で広範な注目を受けたし、実際の応用を得ました。研究者はOLEDデバイスの発光効率を高めて、発光の光度、パワーデバイスの使用寿命を延長するなどの方面で大量の研究を行った。高性能のOLEDデバイスを実現するために、電圧を動かすのは必要である。このデバイスは常用の陽極材料はITOで、またIWOとNPB層の間に三酸化タングステンフィルムを挿入し緩衝層になる。このデバイスのエレクトロニクス性能を変える。

また、三酸化タングステンフィルムを挿入しない緩衝層になるのデバイスにとして対照的で、電圧は8Vを」加える時、2つのデバイスは輝き始める。電圧は15Vを追い越す後、緩衝層があるのデバイスの発光輝度が急速に増えて、電圧は20V時、緩衝層を挿入しないデバイスの亮度は8791cd /㎡である。しかし、緩衝層を挿入しのデバイスが17360cd/m2である。明らかに、三酸化タングステンフィルムの緩衝層を加入するのデバイスは発光の明るさに有効を高める。

最終的に述べたように、OLEDデバイスが三酸化タングステンフィルムの緩衝層を挿入する時、電圧を増加するにつれて、デバイスの電流の密度も増える。そして、三酸化タングステンフィルムの作用の下でその電流の密度が急速に成長して、それによってデバイスの仕事の効率を提高める。

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管状の三酸化タングステンナノファイバーはガス敏センサーを作ることができる。感度が高いし、安定性がよく、常温で仕事の美点がある。この形状の三酸化タングステン繊維はガス敏センサー分野で見通しを展示された。

管状の三酸化タングステン繊維はテンプレート法を用いて調製することができる。テンプレート法が良好な制御性を利用して、その空間の制限作用を用いるとテンプレート剤の作用に対してデバッグ合成材料の大きさ、容貌、構造と配置などを制御する。

テンプレート法は管状の三酸化タングステン繊維を調製して、まずタングステンをタングステン源にして、タングステン容器は容器に放置してオキシドールとエタノールを攪拌する。オキシドールとエタノールとタングステンは結合で、三酸化タングステンゾルを調製する。そして、AAOのテンプレートは三酸化タングステンゾル内で30minし、脱イオン水で洗って、空気中に30minを放置する。最後に５５０℃の環境の中で6hを熱処理で、乾燥して三酸化タングステンの繊維を得ることができる。

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三酸化タングステンの繊維を調製する－ガス固成長法を用いる。ガス-固成長法は、1つまたは複数の反応物で、高温区で加熱を通して蒸気を形成する。そして、惰性気流で反応器の低温区あるいはを急速に冷え込みになって蒸気が沈澱させ、三酸化タングステンの繊維を調製する方法を成長になる。

触媒を使用しないの場合で、タングステン粉は管式炉内の６５０℃の高温区、W基片は管式炉内の400℃の低温区において、加熱して反応し、蒸気を形成した後、加熱炉内へアルゴンを加入する。そして、このガスの雰囲気の中で加熱する引き続け、上記の蒸気は沈澱する。調製した後、直径は10-50nm、長さが約500-1500nmで、断面はリングや多角形の三酸化タングステンの繊維を得られる。

ガス固生長法を応用して調製するの三酸化タングステンの繊維は、感度が高い、安定性がよく、常温で仕事の長所がある。そして、調製した製品は広範な工業の加工領域の需要を満たす。

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負荷の三酸化タングステンの触媒を調製するの工芸はほとんどOCTの工芸に基づいて、このプロセスは主にブテン- 1異性は生成する2 -ブテンや2 -アルブチンとビニルい化制アクリルの2つの段階を含む。採用の異性触媒はMgOで、触媒は三酸化タングステン（WO3）である。

負荷の三酸化タングステンの触媒剤を調製する時、三酸化タングステンとブテン- 1の2ブテン原料として反応を行ってエチレンを作る。MgOとWO3と一緒に使う時、MgOはブテン- 1異性を2ブテンになることを促すことができるだけではなく、反応の活性化も増加する。調製する過程の中で、まず三酸化タングステンとブテン- 1の2ブテン原料とビニル中の含酸素化合物を固定床アルミナ（表の面積は約200-500㎡/ g）をのぞって、そして異性触媒Mgo後原料に異性化段階（MgO表面積＞1㎡/ g）を入れる。反応の前に、触媒剤はまず含んで酸素の気流高温の活性化30hごろでり、不活性ガスは吸着の酸素分子を除く。そして、最適化によって反応温度を通して、液時空速と循環などの条件は反応して負荷型の三酸化タングステンの触媒剤を得る。

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三酸化タングステンフィルムの光電極の調整するのは陰極の電着法を採用する。電解液の中では0.025Mのタングステン酸ナトリウム、0.03Mのオキシドール（30％）と0.05Mの硝酸（65％）を構成する。溶剤は水である。イソプロパノール＝7：3、電着は三電極体係を採用し、Pt電極は対電極にして、飽和カロメル電極（SCE）を参照電極、きれいに洗い、酸化インジウム錫（ITO）導電ガラスを仕事電極である。

電着の調製の過程で温室の条件を行って、含むの0.025Mのタングステン酸、0.03Mのオキシドール（30％）と0.05Mの硝酸（65％）の電解質は電着をする。また、電圧は0.6Vで、沈澱時間は1hで、靑い無定型の三酸化タングスンフィルムを得られる。そして、空気の中で乾かした後、無定型の三酸化タングスンフィルムはマッフル炉の中を置く。この時期の加熱速度が約2℃/ minで、450℃の環境で焼きなまし3hを処理して、最後に三酸化タングステンフィルムの光電極を得られる。

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