酸化タングステンフィルムは光メモリーの方面での応用

酸化タングステンの応用が非常に広く、その材料の応用も高い密度と超高密度のメモリー材料の方面に集中する。酸化タングステンは遷移の金属酸化物の一つとして、強いラマン散乱の能力を持つ。空洞探査機を使用してこのラマン変位信号を検測する。空洞探査機の線は狭くから、もしも基片に出様々遷移金属酸化物の混合膜を調製するのは、空洞探査機は混合膜の中ですべて遷移金属酸化物のラマン変位信号を一度読み出す。これは光記憶の密度を大幅に向上させ、最もよくある酸化フィルムは酸化タングステン基フィルムである。

研究によると、酸化タングステン薄膜短波長のレーザー作用で、光の変化を急速に発生することができる。その重要な特徴の一つはC/ N比の高いが、例えばレーザーの波長は532nm時に酸化タングステン基フィルムの反射率は約93％で、他のフィルムの反射率は３５％である。酸化タングステン基フィルムの応答が鋭敏で、書き込み速度が速く、わずか2nsである。したがって、酸化タングステン基フィルムの短い波長は一回書き込み光記録行動は速度と信号解像度で既存の無機有機材料と光メモリーにも優れている。

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