三酸化タングステンフィルムの電界変色メカニズム

電界変色というのが、材料の光学の性能は電界の作用の下で可逆変化を発生するの現象で、外観の性能には色および透明度の可逆変化を変える。三酸化タングステンフィルムの電界変色性能に影響するの要素が多く、フィルムの密度、空隙率、粒度、導電率、膜の組部と膜の構造、イオンはフィルムの中で拡散係数、電荷の数で、循環の電圧などである。

三酸化タングステンフィルムの電界変色は、ミクロの構造から説明し、三酸化タングステンフィルムの格子構造は、WO6八面体ユニットを結成した。その中のWのt2g準位は空の軌道で、酸素の2Pn準位の間の隙間が広い。普通の情況の下で、材料は透明である。そして、イオンと電子を注入する時、余分な電子はt2gの準位に入り、材料は透明から吸収や反射までになる。また、イオンと電子は抽出された時、材料は元の状態へ戻る。簡単な説明で、フィルムの結晶化合物中の酸素イオンを欠損しから、酸素席の空を形成する。電界の作用の下で電子は充填で、色を形成し変色を引き起こす。

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