酸化タングステンナノ素材の応用-光変色デバイス（Ⅱ）

双電荷の注入あるいわ抽出のメカニズムの提出は人々がWO3機能材料の光変色の本質を深く認識がある。そして、各種の光変色材料と部品に関するの研究を推進する。タングステンの化学反応の角度から理解し、光変色の効果はタングステン原子の可逆酸化の還元過程である。電子帯の角度から分析して、光変色の過程はUV励起価電子帯電子遷移電子正孔対伝導帯まで後に形成され、光生電子はW6 +がW5+に変わて、発生したホールは酸化結晶やフィルム表面吸着水で、プロトンH +を形成した後拡散に結晶やフィルムにと酸化タングステンを結合してタングステン靑銅構造を発生する。それによって靑いを呈する。しかし、このメカニズムはWO3-x（x＜0.3）は光変色に備えないの原因を説明できない、

以上のメカニズムの分析に基づいて、人々は各種の合成方法を利用して酸化タングステンフィルムの光変色性能を優れた。成功的に酸化タングステンフィルムの材料は知能窓、光子の部品（光情報記憶、光コントロール）とWO3 /エネルギー複合太陽電池などの分野を応用される。

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