酸化タングステンのイオン敏感膜
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- カテゴリ: タングステン知識
- 2015年7月29日(水曜)15:37に公開
- 作者: huiting
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酸化タングステンのフィルムは現在で最も注目のイオン敏感の変色材料の一つである。それはReOの構造があり、その結晶構造は実際にはABO3型カルシウム欽鉱構造の中のカチオン位Aが空いて、B位がW6 +を変える。.正イオン源に存在している時、電界の作用に加えて、正イオンMと電子はWO3フィルムの中に拡散と移転を起こす。WOの上にマイナス電圧に掛ける時、プラスイオンはWO3フィルムを注入する。そして、その「A」の位を占めて、タングステン靑銅MxWO3を形成する。電圧は逆に、注入したイオンはWO3フィルムの内から抽出する。上記のイオンの注入と抽出はプロセスは可逆の電気の化学反応過程である。
イオンは酸化タングステンフィルムを注入と抽出するの過程の中で、フィルムの光学特性と電気学特性が大きな変化に発生する。例えば、イオンの注入量Xの増加に従って、MxWO3は絶縁体から半導体に変わて、甚だしきに至っては金属の特性がある。抵抗率が0116~5X01ncmの範囲内で変化を発生した。それなりに、フィルムも透明態から深い靑までの間で可逆の変化を発生する。
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