スパッタリングは三酸化タングステンナノフィルムに影響を与える

磁気空のスパッタリング法を通して三酸化タングステンナノフィルムを調製する。その平均の粒度径は100nmより小さい。三酸化タングステンナノフィルムの大きさと磁気射条件と処理温度に関する。研究者の実験を経て発見して、スパッタリングは三酸化タングステンナノフィルム時、スパッタガス量と割合はガス敏特性をを高めるが大切な影響を持つ。

XPSの分析を通じて分かて、スパッタ混合ガス（O2/Ar）の割合が違うけど、W4f/2とOlsの結合は変化なく、それが35.5eVと530.6eVである。そして、WO3ナノフィルムは化学計量の変化を起きていない。しかし、O2の分圧の違うによって、WO3ナノフィルムのマイクロ構造が大きく変化がある。この現象は団欒の減少で解釈することができる。つまりO2の分圧が増えた時、結晶の粒径が小さくなる。しかし、もしO2の分圧は50％より大きく、空隙率の低下につながて、オリジナルの感度も低下する。この説明はベストスパッタリング混合割合は1：1である。だから、スパッタ混合ガス（O2/Ar）の比は1：1時、直流反応マグネトロンスパッタ法を採用して三酸化タングステンナノフィルムを調製するのはガスの鋭さが最高だ。

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