複合化光触媒の各複合比（WO3/ｐ型半導体）におけるピーク面積比CO2/N2の可視光照射時間依存性結果は：WO3/ｐ型半導体を1/2から2/1に変化させることにより、可視光応答性が増加することが分かる。これよりWO3の複合化割合の増加により、光励起によるWO3からｐ型半導体への電子移動の量子収率が増加することが考えられる。

 

この理由として、WO3とCuBi2O4のバンドギャップはそれぞれ2.7eV、1.5eVであり、WO3の励起フォトン数はCuBi2O4と比較して大きく減少するためであり、WO3の混合割合を増加させる必要があることによる。

 

また可視光応答性が複合比に強く依存することからも、WO3からｐ型半導体への光励起電子移動機構、すなわちZスキーム機構が作動していることが支持される。高感度可視光応答性を実現するためには、複合比（WO3/ｐ型半導体）の最適化を図る必要があると言える。

 

 

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