突破国外垄断 制造芯片用的高纯度钨靶材已实现中国制造

半导体大规模集成电路（芯片）是全球最高端的制造技术。长期以来，中国在这个领域一直都落后于发达国家，世界最先进的芯片技术被欧美所垄断，中国每年芯片进口的花费，已经超过原油，而且还要时不时承受美国人的科技“断粮”风险。

在半导集成电路中，薄膜科学是开发制造半导体器件非常重要的领域。靶材是这种表面镀膜技术中的关键材料，靶材性能的优劣直接影响薄膜性能的好坏，进而影响到整个芯片制造的性能和效益。

用精密设备在半导体芯片功能层涂装的一层薄薄透明导电膜，这种层不足头发丝直径五百分之一，以实现半导体金属的物理化学性能，它们被称为薄膜。在半导体芯片制造的金属化工艺过程中，氧化钨薄膜是一种被广泛研究的功能材料，主要用作集成电路扩散阻挡层、粘结层和大型集成电路存储器电极等。

镀覆薄膜的关键就是被称为“靶”的器件。溅射法是制备薄膜材料的主要技术之一，它通过高速运动的离子轰击靶材，产生的原子放射出来累积在基体的表面，形成镀膜，被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料，这种原材料称为溅射靶材。这是氧化钨薄膜在半导体器件实现其功能过渡的重要基体。

由于其熔点高，钨靶材主要通过粉末冶金方法制备。但应用于芯片制造的钨靶材，全球掌握相关制造技术的只有美国、日本等几家公司。不过就在去年，中央电视台《辉煌中国》就曾报道了中国浙江宁波一家企业在芯片钨靶材领域实现突破，不仅结束了金属靶材必须依赖进口的历史，甚至冲进了这个领域的全球第一梯队。

钨靶材在半导体领域半导体集成电路对靶材的纯度有着很高的要求，一般要求靶材的纯度要在99.999%以上。同时，靶材的密实度也对镀膜过程及膜层的性能有着重要的影响，靶材的密实度不仅影响溅射时的沉积速率、溅射膜粒子的密度和放电现象等，还影响着溅射薄膜的电学和光学性能。靶材越密实，溅射膜粒子的密越低，放电现象越弱，而薄膜的性能也越好。

据了解，该企业的带头人是一位海归创业者，对于高纯度钨靶材，它所需要的制造技术是全球最先进的。但中国团队一举突破了高纯度钨靶材的技术制造难关，彻底打破国外垄断，从此不再看外国人的脸色。

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