厉害了我的钨，这个重器打破日美垄断

据央视财经频道报道：过去五年，中国科技进步对GDP的贡献率从2012年的52.2%升至57.5%，国家创新能力全球排名从第20位升至第17位。机制、人才、金融，如同细密如织的神经网络和血管，不断滋养着中国的钢筋铁骨，这是制造国家重器的另一种重器——中国独有的制度沃土，正汇聚起最持久、最深层的创新力量。

蓝鲸一号、天眼、大飞机、国产航母，一个个大国重器精彩亮相，让国人自豪、世界赞叹。而这些举世瞩目的成就背后，无一不体现着中国集中力量办大事的独有优势。在报道中，央视还特别提到了一种用于大规模集成电路制造的重器：超高纯金属溅射靶材。

超高纯金属溅射靶材是芯片制造的必要设备，主要用于300mm极大规模集成电路制造，其材料纯度要求在99.999%以上，这其中也有涉及到钨的应用，鉴于此，小编郑重和大家介绍一下今天的主角——钨靶材。

在国际主流的大规模集成电路制造中，溅射法是制备薄膜材料的主要技术之一，它通过高速运动的离子轰击靶材，产生的原子放射出来累积在基体的表面，形成镀膜，被轰击的固体金属是用溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。溅射靶材是极大规模集成电路制造必需的原材料，之前只有日本、美国两个国家的少数几家跨国公司能够制造，也因此，我们的大规模集成电路制造一直饱受发达国家的隐形技术壁垒封锁。

稀有金属钨由于具有熔点高、强度高、热膨胀系数低、电阻率低、良好的热稳定性等优点，而被广泛应用于半导体集成电路、太阳能光伏等溅射镀膜领域。钨靶材在半导体领域主要用作集成电路扩散阻挡层和大规模集成电路内存电极等。

半导体集成电路对靶材的纯度有着很高的要求，一般要求靶材的纯度要在99.999%以上。同时，靶材的密实度也对镀膜过程及膜层的性能有着重要的影响，靶材的密实度不仅影响溅射时的沉积速率、溅射膜粒子的密度和放电现象等，还影响着溅射薄膜的电学和光学性能。靶材越密实，溅射膜粒子的密越低，放电现象越弱，而薄膜的性能也越好。但相应的是，钨的熔点高，我们采用传统的粉末冶金法，虽然可以烧制出成品，但质量性能不稳定，而且很难烧制大尺寸的钨靶材。

由于芯片产业是高技术的制高点，是重要的战略领域，靶材又是芯片制造的必要设备，而且随着半导体技术的迅猛发展，集成化程度越来越高，单位面积单晶硅片集成器件数呈指数级增长，主流的硅片尺寸已从12英寸（300mm）逐渐向18英寸（450mm）发展，所以如何制造出更大尺寸高质量的钨靶材已成为钨制品冶炼的关注热点。

近年来，在国家人才专项的感召下，一批优秀团队回国创业，并且得到“863”、“02专项”等国家重大科技专项的支撑，中国终于打破了日美的垄断和封锁，历经12年的艰苦创业建立了基于全套国产设备、拥有完整自主知识产权的生产基地。有人才，有资金，有国家政策支持，在此大环境下，我国的高纯金属提炼技术也获得了飞跃性的发展，创新研发并取得了许多拥有自主产权的专利成果，中国企业已经能用自己先进的生产工艺制造出不逊于日美企业的钨靶材产品，多家诸如生产六氟化钨等各类特种气体的生产基地也陆续建设投产，一个新的产业链正转向中国制造，逐渐改变过去某些高科技材料只能依赖进口的局面。

目前，我国已建成了全球最大的集成电路靶材制造生产线，大部分配套产业基本完善，实现了全系列产品的量产，供应全球280多家芯片制造工厂。生产的超高纯金属溅射靶材杂质元素含量小于十万分之一；用于国际最领先的10到28纳米技术极大规模集成电路芯片制造，在收获成果的季节，华为已可以设计和制造出中国人自主的先进的智能手机芯片，紫光可以制造出打破世界科技寡头垄断的DDR4代内存芯片，任何国家都不再敢轻视中国在大规模集成电路产业中的地位。（中钨在线：伟平）

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