エレクトロクロミック薄膜用三酸化タングステン

三酸化タングステンはエレクトロクロミックフィルムを製造するための重要な原料です。専門家の中には、金属タングステンとタングステンチタン合金をターゲットとして、パルスDC反応性マグネトロンスパッタリング法を採用して、それぞれWO3とTiドープWO3薄膜を作製し、膜厚が薄膜の結晶構造、表面形態、変調振幅、応答時間、サイクル寿命などのエレクトロクロミック特性に与える影響を研究したという報告もある。彼らは次のことを発見しました:

詳細については、以下をご覧ください。

http://tungsten-oxide.com/japanese/index.html

WO3膜を着色すると格子歪みや表面粗さが変化します。膜厚が増加すると、両者は一旦減少しその後増加し、膜厚が 250nm のときに最小になります。同じ駆動電圧で、300nmの厚いフィルムが劣化すると、発生する格子歪みが大きくなりすぎて、リチウムイオンの移動が妨げられます。 W5+ の一部は W6+ に変換できず、完全に消えることもありません。色の変化の振幅が小さくなり、着色効率が低下します。エレクトロクロミック性能は、フィルムの厚さが 250nm のときに最も高くなり、光変調振幅と色変化効率が高くなります。

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