近赤外吸収材料用ナノ酸化タングステン

ナノ酸化タングステンは、可視領域で高い透過率を有すると同時に、可視領域に近い近赤外領域で強いプラズマ吸収を示す近赤外吸収材料である。

近赤外吸収材料用ナノ酸化タングステン

詳細については、次のページを参照してください。

http://tungsten-oxide.com/japanese/index.html

近赤外吸収材料用ナノ酸化タングステン

酸化タングステン材料粒子の大きさは性能と顕著な関係があることを知るためには、ナノ半導体微結晶粒子の粒径と比表面積を制御する必要がある。ナノ半導体合金粉体の粒径をr、密度をρとすると、ナノ半導体粉体の一定質量mの総遮断面積Aは次の式で表される:

A=3ρ/4rm

式から分かるように、粒径rが小さいほど比表面積が大きくなり、総遮断面積Aが大きくなる。しかし、粒子径が小さすぎると、粒子の電子密度の変化などによって太陽光遮蔽機能が低下する。したがって、粒子径rは、その高可視光透過率と高近赤外吸収率を保証するために最適な範囲でなければならない。

 

 

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