光触媒用の非金属ドープ黄色酸化タングステン

光触媒として、非金属ドープ黄色酸化タングステンの光触媒性能は、純粋なWO3と比較して向上しています。 これは、O2p軌道と比較して、非金属イオン（C、N、F、S）は比較的エネルギーの高い軌道を持っているためです。これらの原子を使用して、半導体酸化物（WO3など）の一部のO原子を置き換えると、 半導体の価電子帯の位置を上げ、半導体の禁制帯幅を狭めて吸収端を赤方シフトさせる。

詳細については、以下をご覧ください。
http://tungsten-oxide.com/japanese/index.html

非金属ドープ黄色酸化タングステン光触媒の調製

タングステン酸アンモニウムをポーセレンボートに入れ、マッフル炉に入れ、600℃で5時間焼成した後、メノウ乳鉢で粉砕し、純粋なWO3粉末を得た。 特定の比率（w（M）/ w（WO3）X100％、wt％、Mは希土類元素として計算）に従って、特定の量のドーピング元素前駆体とエタノール水溶液（V：V、1： 1）混合し、必要な量のWO3粉末を加え、メノウ乳鉢で30分間粉砕し、80°Cのブラスト乾燥オーブンで一晩乾燥させて、前駆体を取得します。 前駆体を500℃で2時間か焼して、非金属のC、N、F、SドープWO3粉末光触媒を得た。

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