射频溅射法制备纳米二硫化钨薄膜
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- カテゴリ: 钨业知识
- 2017年8月17日(木曜)08:18に公開
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二硫化钨是一种优秀的固体润滑材料,在超固体润滑领域具有极高的应用价值,特别是在减小微机械系统、航空航天工业中的摩擦和磨损,在提高其性能及寿命方面具有很强的应用空间。
二硫化钨薄膜材料由于具有层状结构,且具有较低的硬度和较好的高温稳定性,很适合作为特殊环境下摩擦部件的固体润滑剂。近年来,国内对二硫化钨薄膜的研究越来越多,二硫化钨薄膜的制备方法可谓百家争鸣,其最主要的制备方法有射频溅射法、反应磁控溅射和化学沉积法三种。
射频溅射法是目前最常用的获得二硫化钨薄膜的方法之一。射频溅射法晶体生长,是指采用射频溅射的手段使组成晶体的组分原料气化,然后再结晶的技术来生长晶体的方法。射频溅射是适用于各种金属和非金属材料的一种溅射沉积方法,其频率区间为5~30MHz,国际上通常采用13.56MHz的频率。主要用来进行薄膜制备,也可以制备小尺寸的晶体。
采用纯度为 99.99 %的 WS2 粉末经冷压成形制成WS2 靶材,在不锈钢基片上将表面进行机械抛光后,对表面进行超声波清洗。本底真空为 3 ×10-3Pa,充入氩气至工作压力 1Pa,溅射功率 30W,沉积时间 1h,使 WS2 沉积在基片上形成薄膜 。
射频溅射法制出的二硫化钨薄膜表面整体平滑, 在SEM下观察,没有空洞和间隙等缺陷,致密度高,质量较好。并且不同工作气压、不同溅射功率和沉积时间的样品表面形貌相似, 没有明显变化。
射频溅射法与其它溅射方法相比,具有靶材适用材料范围广,溅射功率调节方便; 沉积速率高的优点,采用射频溅射方法提高沉积产额时,可以避免其它方法普遍存在的电压大幅度提高的情况出现。同时,通过调整放电阻抗和电源阻抗匹配,可以有效地输入射频功率。
通过射频溅射法可较为直接的获得薄膜,但薄膜的化学成分即薄膜中 S /W会随工作压力和溅射功率的变化发生改变。通过这种方法获得的薄膜一般为非晶态结构。但通过对溅射压力、功率等工艺参数的严格控制,溅射法仍然是实验室制备或单件小工件生产的重要方法。
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