钨的逸出功

逸出功就是电子克服原子核的束缚，从材料表面逸出所需的最小能量，通俗地讲，电子从金属中逸出，需要增加电子能量才能使其活动，如光照、利用光电效应使电子逸出，或用加热的方法使金属中的电子热运动加剧，使电子逸出。

金属材料的逸出功是电子器件很重要的性能参数之一，钨的逸出功在4.55eV，看上去平庸，然而在早期，纯钨材料却是凭借着它的其它优良特性而稳坐着电子管、电极材料界的头把交椅，直至1913年，科学家鬼使神差地将 “钍”和“钨”两种元素结成秦晋之好，巧妙地合成了新材料钍钨合金（W-ThO₂），电子管、电极材料领域才发生了变化。

钨具有耐热耐高温、低蒸汽压等优良特性，但逸出功参数一般，而将ThO₂小粒子均匀地弥散在钨基体上，不但可降低钨的电子逸出功，又可以继承钨的其它优良特性。研究表明，钍钨合金的逸出功为2.66eV，比纯钨材料降低了40%，大大地提升了阴级管的发射效率，所以钍钨很快就取代了纯钨成为电极材料的新领袖。

由于钍具有放射性，近年来科学家又研究出了新材料稀土钨合金来替代钍钨合金，我们现代工业所用到的大功率发射管、微波管阴极、LED管都是由稀土钨合金制成，然而不管是钍钨合金还是稀土钨合金，它们都是以钨为基础的强化材料，主体材料还是钨，所以说电子管、电极材料领域仍是“钨”的家天下。

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