多表面缺陷氧化钨纳米气敏材料制备

在半导体气敏材料研究领域，氧化钨（WO₃）因其易于调控，选择性强、稳定性好、灵敏度高、气敏工作温度低等优点，成为近年来纳米气敏材料的研究重点。

WO₃表面的氧空穴可以成为导带的电子授体，从而使该材料成为 n型半导体。因此，在实际应用中，通过增加氧化钨纳米材料的比表面积和表面缺陷，可以提高其气敏性能。

目前有多种方法可以提高比表面积或者表面缺陷，例如制备纳米空心球、海胆状 纳米颗粒、纳米线、介孔纳米材料等方法，上述方法主要是通过纳米结构的调整来提升比表面积以及表面缺陷，进而提升气敏性能。

为克服现有技术的不足，有学者提出一种多表面缺陷氧化钨纳米气敏材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1. 将2g六氯化钨溶于100ml 0℃无水乙醇中，磁力搅拌至全部溶解，之后再缓慢加入10ml去离子水，在0℃环境下搅拌30分钟，然后再50℃水浴中搅拌24小时；

2. 将步骤1所述溶液冷却0℃；

3. 将1g六氯化钨溶于10ml 0℃无水乙醇中，磁力搅拌至全部溶解，然后倒入步骤2所述溶液中；

4. 将步骤3中制备的溶液转移到反应釜中，密封，然后将反应釜置于，在180℃下反应 12小时，然后冷却至室温。

5. 将步骤4所制备的粉末，离心、洗涤，烘干。

所得到的纳米WO₃颗粒为椭圆状纳米颗粒，表面有丰富的缺陷结构，其表面具有大量的超氧自由基，大大提升了其气敏性能，将其分散涂于六脚陶瓷管气敏测试元件上，利用气敏元件测试系统测试对丙酮气体的响应，测试温度为180℃，可发现其对1ppm以下有明显的响应，具有良好的灵敏度和选择性。

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